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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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全球最小65W電源適配器發(fā)布,電源適配器設(shè)計(jì)面臨的業(yè)界挑戰(zhàn)?
采用GaN功率器件,除了可以將電源適配器與充電器體積做得更小外,在未來(lái)的5G應(yīng)用中的微型基站將對(duì)GaN產(chǎn)生大量需求,這些基站對(duì)于電源的功率要求很高,而且...
華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項(xiàng)目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元建設(shè)
據(jù)南譙區(qū)政府信息,華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項(xiàng)目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元建設(shè),是浦口—南譙合作產(chǎn)業(yè)園區(qū)首個(gè)落戶(hù)項(xiàng)目。這也使得南京浦口與滁州...
第三代半導(dǎo)體SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)
第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb),主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件(LED),是制作高性...
2021-02-01 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料SiC 7828 0
因?yàn)樽罱K目的是為基于Load-Pull系統(tǒng)的器件做阻抗提取和性能評(píng)估,對(duì)于校準(zhǔn)件的版圖設(shè)計(jì)基本需考慮通用性和成本,即在射頻信號(hào)主路采用微帶線階梯型阻抗變...
研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了單片集成歧管微通道(mMMC)系統(tǒng)
與SPMC相比,被稱(chēng)為“嵌入式歧管微通道”(EMMC)的三維冷卻系統(tǒng)在降低泵輸送功率和芯片溫度梯度方面具有巨大的潛力。在嵌入式歧管微通道系統(tǒng)中,這種3D...
2020-09-27 標(biāo)簽:嵌入式功率器件半導(dǎo)體芯片 7655 0
宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者
宋仕強(qiáng)關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者 受訪對(duì)象:薩科微半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋仕強(qiáng)先生 采訪主題:薩科微半導(dǎo)體的成長(zhǎng)史的幾個(gè)問(wèn)題 近年來(lái),在半導(dǎo)體“國(guó)產(chǎn)替代”和解...
富士康濟(jì)南項(xiàng)目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件
據(jù)介紹,中鐵14局主要負(fù)責(zé)項(xiàng)目的基礎(chǔ)工程、主體工程、裝飾裝修、場(chǎng)區(qū)市政以及安裝工程等,目前項(xiàng)目進(jìn)場(chǎng)道路已經(jīng)打通,正在進(jìn)行灰土和面層混凝土施工;降水工程基...
2019-05-06 標(biāo)簽:功率器件SiC半導(dǎo)體器件 7488 0
解讀變頻器散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)及優(yōu)化
引言 變頻器屬大功率電力電子設(shè)備,內(nèi)部需配備大量功率半導(dǎo)體器件,工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量。而功率半導(dǎo)體器件屬溫度敏感器件,因結(jié)溫過(guò)高導(dǎo)致功率半導(dǎo)體器件燒...
2021-04-21 標(biāo)簽:變頻器功率器件電力電子設(shè)備 7439 0
如何選擇DCDC 升壓-推薦一顆高效率、低EMI、全同步、大功率DCDC
DCDC是系統(tǒng)中非常重要的功率器件,因?yàn)樽屜到y(tǒng)崩盤(pán)的總是電源、功放這些功率器件。 市場(chǎng)對(duì)功率的要求是越來(lái)越大,余量要求越來(lái)越足,所以系統(tǒng)的穩(wěn)定性要求就越...
GaN下游:功率、射頻市場(chǎng)格局;國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專(zhuān)欄,目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)架構(gòu),理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)節(jié)中...
美國(guó)透明度市場(chǎng)研究公司近日發(fā)布研究報(bào)告稱(chēng),2012年氮化鎵半導(dǎo)體器件市場(chǎng)產(chǎn)值為3.7982億美元,并將在2019年達(dá)到22.0373億美元。其中,軍事國(guó)...
瑞薩電子中國(guó)董事長(zhǎng)真岡朋光:與中國(guó)攜手共進(jìn) 共創(chuàng)未來(lái)
真岡董事長(zhǎng)在演講中介紹,目前瑞薩電子主要產(chǎn)品包括微控制器(MCU)、片上系統(tǒng)(SoC)、模擬及功率器件等,廣泛應(yīng)用到汽車(chē)、工業(yè)、家電、辦公自動(dòng)化、AI、...
功率器件頂部散熱封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及普及挑戰(zhàn)
不久前,英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱(TSC)封裝技術(shù)正式注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
前言:2020年已到尾聲,一年的挑戰(zhàn)和不安都在近期變成了一份份財(cái)報(bào),或悲觀或樂(lè)觀。2020年發(fā)生的種種,如疫情、復(fù)雜的國(guó)際形勢(shì)等,就像被打開(kāi)的潘多拉魔盒...
中國(guó)IGBT的技術(shù)水平并不差,政府和企業(yè)缺乏投資IGBT的動(dòng)力
由于IGBT集MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)于一體,具有開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)電流小、通態(tài)壓降小、耐壓高及承受電流大等優(yōu)點(diǎn),因此在電機(jī)控...
2018-05-28 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT功率器件 6853 0
MSP430 系列是一個(gè) 16 位的、具有精簡(jiǎn)指令集的、超低功耗的混合型單片機(jī),在 1996 年問(wèn)世,由于它具有極低的功耗、豐富的片內(nèi)外設(shè)和方便靈活...
國(guó)產(chǎn)氮化鎵芯片動(dòng)態(tài):合封驅(qū)動(dòng)、封裝工藝升級(jí)雙面散熱
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))自Type-C 2.1與PD 3.1新的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議發(fā)布之后,氮化鎵再次被推上風(fēng)口。氮化鎵以低損耗、高效率、高功率密度的自身優(yōu)勢(shì)...
2019年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)或出現(xiàn)十年來(lái)首次負(fù)成長(zhǎng)
由于全球政經(jīng)局勢(shì)動(dòng)蕩,2019年第二季全球晶圓代工需求持續(xù)疲弱,各廠營(yíng)收與去年同期相比普遍下滑,預(yù)估第二季全球晶圓代工總產(chǎn)值將較2018年同期下滑約8%...
碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來(lái)政策東風(fēng) 中國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
今天政策層面有一個(gè)大消息,特大消息,那就是我國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫(xiě)入十四五規(guī)劃,利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...
由于以前器件的存在,多是分離式器件(discrete device)或模塊(module)形式,而不是更習(xí)見(jiàn)的集成電路封裝;其生產(chǎn)工廠多為傳統(tǒng)的6吋廠、...
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