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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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功率半導(dǎo)體有功率器件和功率IC,功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管,其中晶體管又可根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和制程可劃分為絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)、MOSF...
2023-02-03 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 1.4萬 0
功率器件,也被稱為電力電子器件,簡(jiǎn)單來說,就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面,因此得名“...
2023-02-02 標(biāo)簽:高電壓功率器件半導(dǎo)體器件 2910 0
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用,在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用,當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差...
突破工業(yè)軟件卡脖子!東南大學(xué)牽頭!EDA領(lǐng)域首個(gè)國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心獲批!
1月30日消息,據(jù)東南大學(xué)官網(wǎng)報(bào)道,EDA領(lǐng)域首個(gè)國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心獲批!由東南大學(xué)牽頭組建,主要針對(duì)國(guó)產(chǎn)EDA設(shè)計(jì)軟件卡脖子問題進(jìn)行突破!涉及三維布局布...
ST推出具超強(qiáng)散熱能力的車規(guī)級(jí)表貼功率器件封裝
來源:意法半導(dǎo)體 2023 年 1 月 16日,中國(guó)——意法半導(dǎo)體推出了各種常用橋式拓?fù)涞腁CEPACK? SMIT 封裝功率半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng) TO ...
意法半導(dǎo)體推出具超強(qiáng)散熱能力的車規(guī)級(jí)表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT
意法半導(dǎo)體推出了各種常用橋式拓?fù)涞腁CEPACK SMIT封裝功率半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比,意法半導(dǎo)體先進(jìn)的ACEPACK SMIT 封裝能...
2023-01-16 標(biāo)簽:封裝意法半導(dǎo)體功率器件 1405 0
SiC碳化硅功率器件測(cè)試哪些方面?碳化硅功率器件測(cè)試系統(tǒng)NSAT-2000
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來,全球半導(dǎo)體...
碳化硅功率器件助力實(shí)現(xiàn)更好的儲(chǔ)能
Wolfspeed的SiC功率器件目前廣泛用于電源、電池充電和牽引驅(qū)動(dòng)的電池電動(dòng)汽車 (BEV)功率轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及太陽能和風(fēng)能逆變器等可再生能源...
SiC和GaN,會(huì)把硅功率器件趕出歷史舞臺(tái)?
云計(jì)算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機(jī)等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)...
實(shí)至名歸,安世半導(dǎo)體斬獲2022行家極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)!
2022年行家說全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇,暨2022行家極光獎(jiǎng)(2022 Hangjia Aurora Award)頒獎(jiǎng)晚宴在深圳順利舉辦。Ne...
森國(guó)科榮膺2022年度中國(guó)SiC功率器件設(shè)計(jì)十強(qiáng)
NOM-FUNGIBLE TOKENS榮膺極光獎(jiǎng)中國(guó)SiC功率器件設(shè)計(jì)十強(qiáng) ? ? 2023年伊始,由行家說三代半和行家說Research主辦的全球第三...
英飛凌首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 在日前發(fā)表的采訪中表示,公司正在在尋找收購(gòu)對(duì)象時(shí),英飛凌準(zhǔn)備斥資數(shù)十億歐元用于合適的收購(gòu)目標(biāo)。這家德國(guó)...
前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化...
SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
800V高壓平臺(tái)加速落地,2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水。800V高壓快充平臺(tái)為解決里程焦慮的破局者,國(guó)內(nèi)外車企從2021年起掀起一...
β-Ga2O3相對(duì)較低的遷移率使其能夠表現(xiàn)出比SiC和GaN更好的性能。從熔體中生長(zhǎng)的材料的特性使得以低于塊狀氮化鎵、碳化硅和金剛石的成本制造高質(zhì)量晶體...
2023-01-03 標(biāo)簽:晶圓功率器件半導(dǎo)體材料 2241 0
據(jù)了解,東風(fēng)汽車總投資 2.8 億元的功率模塊二期項(xiàng)目目前正在加速推進(jìn)中。據(jù)悉,該項(xiàng)目一方面優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)線,提高 IGBT 模塊產(chǎn)量,另一方面開辟兩條全新...
碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試技術(shù)剖析
第二點(diǎn)是,得到的測(cè)試結(jié)果是否滿足需求,或者說“測(cè)得對(duì)不對(duì)”,還沒有判定標(biāo)準(zhǔn)。這主要源自大部分工程師對(duì)碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性還不夠了解,不具備解讀測(cè)試結(jié)果的能力。
隨著以硅材料為基礎(chǔ)的功率器件逐漸接近其理論極限值,利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件顯示出比Si和GaAs更優(yōu)異的特性,給功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了...
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