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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業,最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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近年來,隨著功率半導體產業的快速發展,功率器件封測設備和材料在整個產業鏈的作用越來越重要,國內也涌現出了一大批優秀企業。
動態特性是功率器件的重要特性,在器件研發、系統應用和學術研究等各個環節都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態參數進行測試是相關工作的必備一環,主要采用...
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業主要進步發展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
功率器件被稱為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導體器件。它是電子部件和電子設備-發電機的統稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(...
1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。 因...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內...
在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中,電源技術水平也在不斷提升,起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅動+氮化鎵功率器件組合設計,不僅電路布局較為復雜,...
功率器件是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...
隨著小信號器件概念的出現,半導體分立器件按照功率、電流指標又劃分出了小信號器件及功率器件兩大類:世界半導體貿易統計協會(WSTS)也將小信號器件定義為耗...
碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合...
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料,主要應用于功率器件,憑借更小體積、更高效率對傳統硅材料進行替代。預計中短期內硅基氮 化鎵將在手機快充充電器...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,上世紀90年代就已經有了氮化鎵的應用,這些年來氮化鎵已經成為了全球半導體研究的熱點,被譽為第三代半導體,其具有更...
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