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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術的基礎，也是構成電力電子變換裝置的核心器件。
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電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近期，各上市公司基本已經公布2024年全年以及2025年一季度的財報。功率半導體從去年開始，進入去庫存的階段，市場上價格戰...
2025-05-11 標簽：功率半導體 1777 0
安世半導體熱插拔MOSFET與碳化硅二極管入圍年度功率半導體
? ? ? 一年一度的全球電子成就獎評選（World Electronics Achievement Awards)正在火熱進行中，該獎項旨在評選并表彰...
電機驅動系統的獨特和特定要求需要一種新的 IGBT 設計方法。使用正確的 IGBT 技術，可以創建更適合滿足這些需求的模塊。這是英飛凌采用其最新一代 I...
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領先的半導體公司，專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業自動化、醫療、安全和物聯網...
英飛凌科技股份公司已在生產基于300毫米薄晶圓的功率半導體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費拉赫工廠的300毫米生產線走下來的英飛凌CoolMOS...
未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場，將以18%速度增長
在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。據有...
NI收購SET GmbH，加速功率半導體和航空航天測試系統的開發
NI宣布收購 SET GmbH(簡稱“SET”)。SET是長期專注于航空航天和國防測試系統開發的專家，也是功率半導體可靠性測試領域的創新者。加入NI后，...
在5G通信領域，GSMA預計到2025年全球移動運營商的資本支出將達到1.1萬億美元，其中80%用于5G基礎設施建設，5G將帶動基站電源硅含量的提升，推...
作為第三代功率半導體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業界特別是電氣工程師的關注。電氣工程師之所以如此關注這兩種功率半導體，是因為它們...
功率半導體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進行芯片封裝，對加工完畢的芯片進行技術性能指標測試，其中主要...
使用 WBG 材料的射頻功率半導體解決了 5G 應用中的許多技術挑戰，縮小了與舊的基于硅的技術之間的差距。 5G 技術的進步正在推動半導體行業面臨新的技...
在上一屆Nexperia Power 現場活動中，許多行業領袖討論了與氮化鎵技術相關的不同話題。作為一種材料，在許多應用中，GaN 似乎比硅具有顯著的內...
晶圓切割機領域的領軍企業DISCO近日發布了其2024財年第一季度（即2024年4月至6月）的財務報告，數據表現極為搶眼。該季度，DISCO實現了合并營...
日前，龍騰半導體股份有限公司2025年集團年會盛典在熱烈的氛圍中成功召開。集團董事長徐西昌先生、聯席CEO陳橋梁先生、副總裁張欣女士以及集團首席科學家李...
忱芯科技創始人兼CEO毛賽君博士曾經表示，相較于市場普遍預期的2025年左右碳化硅功率半導體模塊方案才將具有綜合成本優勢，公司認為行業已經開始出現超出市...
英飛凌推出車用全新650V CoolMOS CFDA整合高速本體二極體
英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFE...
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術持續在超便攜、超快充的手機市場中取代傳統硅功率芯片
2023年5月24-26日，SNEC第十六屆(2023)國際太陽能光伏與智慧能源(上海)大會暨展覽會(簡稱“SNEC光伏大會暨(上海)展覽會”)將在上海...
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