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標簽 > 刻蝕工藝
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深反應離子刻蝕工藝,是實現高深寬比特性的重要方式,已成為微加工技術的基石。這項刻蝕技術在眾多領域均得到了應用:1)MEMS電容式慣性傳感器;2) 宏觀設...
2020-10-09 標簽:刻蝕工藝 1.6萬 0
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體,并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比,加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步,第一步是快速均勻地刻掉大部分W,...
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜,降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙,并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...
半導體產業中,制造工工程被稱為工藝(Process),理由是什么?雖然沒有明確的答案,但與其說加工尺寸微小(目前是nm制程),不如說制造過程無法用肉眼看到所致。
下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...
DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素...
用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓,同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
對于濕法刻蝕,大部分刻蝕的終點都取決于時間,而時間又取決于預先設定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監測終點的方法,所以通常由操作員目測終點。濕法...
鋁刻蝕可以使用多種不同的酸,其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...
等離子體最初用來刻蝕含碳物質,例如用氧等離子體剝除光刻膠,這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產生的氧原子自由基會很快與...
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