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      標簽　>　刻蝕工藝

      刻蝕工藝

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      文章：37個 瀏覽：8600次 帖子：0個

      刻蝕工藝技術

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      2023-04-03 標簽：多晶硅MOSFETsram 4794 0

      半導體刻蝕工藝簡述(3)

      對于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點都取決于時間，而時間又取決于預先設定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監測終點的方法，所以通常由操作員目測終點。濕法...

      2023-03-06 標簽：芯片半導體等離子體 3070 0

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      嚴重的離子轟擊將產生大量的熱量，所以如果沒有適當的冷卻系統，晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過1...

      2023-03-06 標簽：半導體等離子體晶圓 1841 0

      半導體刻蝕工藝簡述(1)

      等離子體最初用來刻蝕含碳物質，例如用氧等離子體剝除光刻膠，這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產生的氧原子自由基會很快與...

      2023-03-06 標簽：半導體等離子體晶圓 2646 0

      半導體制造工藝最強科普

      半導體產業中，制造工工程被稱為工藝（Process），理由是什么？雖然沒有明確的答案，但與其說加工尺寸微?。壳笆莕m制程），不如說制造過程無法用肉眼看到所致。

      2023-02-21 標簽：半導體晶圓制造工藝 5144 0

      等離子體刻蝕工藝簡介

      鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

      2023-02-17 標簽：PVDICPCVD 2925 0

      半導體制造之刻蝕工藝詳解

      半導體制造之刻蝕工藝詳解

      單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

      2023-02-13 標簽：多晶硅半導體晶體管 1.1萬 0

      半導體行業之刻蝕工藝

      等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負載效應。負載效應有兩種:宏觀負載效應和微觀負載效應。

      2023-02-08 標簽：半導體晶圓刻蝕 4506 0

      用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

      用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

      硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...

      2022-01-13 標簽：多晶硅半導體晶圓 4053 0

      碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

      碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

      引言 人們對用于器件應用的碳化硅(SiC)重新產生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數和熱膨脹系數，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應用領域，例...

      2022-01-10 標簽：半導體SiC碳化硅 2364 0

      實現高精度深硅刻蝕的方法

      實現高精度深硅刻蝕的方法

      深反應離子刻蝕工藝，是實現高深寬比特性的重要方式，已成為微加工技術的基石。這項刻蝕技術在眾多領域均得到了應用：1)MEMS電容式慣性傳感器；2) 宏觀設...

      2020-10-09 標簽：刻蝕工藝 1.6萬 0

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