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標(biāo)簽 > 刻蝕工藝
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深反應(yīng)離子刻蝕工藝,是實(shí)現(xiàn)高深寬比特性的重要方式,已成為微加工技術(shù)的基石。這項(xiàng)刻蝕技術(shù)在眾多領(lǐng)域均得到了應(yīng)用:1)MEMS電容式慣性傳感器;2) 宏觀設(shè)...
2020-10-09 標(biāo)簽:刻蝕工藝 1.6萬 0
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體,并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比,加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步,第一步是快速均勻地刻掉大部分W,...
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜,降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙,并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...
2023-08-17 標(biāo)簽:芯片封裝半導(dǎo)體器件刻蝕 7515 0
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,制造工工程被稱為工藝(Process),理由是什么?雖然沒有明確的答案,但與其說加工尺寸微小(目前是nm制程),不如說制造過程無法用肉眼看到所致。
下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...
等離子體圖形化刻蝕過程中,刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓,稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
本文在淺溝槽隔離刻蝕過程中發(fā)現(xiàn),當(dāng)刻蝕腔室上石英窗口的溫度超過85℃時,刻蝕終止出現(xiàn)在300mm晶圓的中心。我們認(rèn)為刻蝕終止的原因是由于某些低揮發(fā)SiO...
原沸石是非結(jié)晶的,如粉末 X 射線衍射 (XRD) 圖案所示。掃描電子顯微鏡 (SEM) 和透射電子顯微鏡 (TEM) 圖像顯示,原沸石是大小約為5-2...
泛林集團(tuán)推開創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案 加速實(shí)現(xiàn)3D
通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)的合作,他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實(shí)現(xiàn)突破,這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲設(shè)備。
2022-03-22 標(biāo)簽:刻蝕刻蝕工藝泛林集團(tuán) 2400 0
中國研發(fā)團(tuán)隊(duì)在SOT-MRAM取得重要進(jìn)展
據(jù)“中科院微電子研究所”消息,為了更好地解決SOT-MRAM的刻蝕技術(shù)難題以實(shí)現(xiàn)SOT-MTJ的高密度片上集成,同時研究不同的刻蝕工藝對器件磁電特性的影...
關(guān)于光刻膠溶解過程中表面粗糙度的變化研究報(bào)告
摘要 圖案圖像中納米級粗糙度的最小化已成為微處理器生產(chǎn)中光刻過程的優(yōu)先事項(xiàng)。為了探究表面粗糙度的分子基礎(chǔ),通過將臨界電離模型應(yīng)用于聚合物基體的三維分子晶...
說到濕法刻蝕了,這個是專業(yè)的技術(shù)。我們也得用專業(yè)的內(nèi)容才能給大家講解。聽到這個工藝的話,最專業(yè)的一定就是講述濕法刻蝕步驟。你知道其中都有哪些步驟嗎?如果...
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