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擊穿電壓

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擊穿電壓技術(shù)

擊穿電壓是什么_擊穿電壓的工作原理是什么

本文開(kāi)始介紹了擊穿電壓的概念和擊穿電壓的主要因素，其次闡述了擊穿電壓的工作原理以及介紹了影響介電擊穿強(qiáng)度的因素，最后介紹了電壓擊穿儀器使用時(shí)的注意事項(xiàng)。

2018-04-03 標(biāo)簽：擊穿電壓 6.2萬(wàn) 0

電源設(shè)計(jì)中電容的工作原理各類電源中電容器的正確選用規(guī)則

電源往往是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)過(guò)程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。作為一款優(yōu)秀的設(shè)計(jì)，電源設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)是很重要的，它很大程度影響了整個(gè)系統(tǒng)的性能和成本。

2024-03-22 標(biāo)簽：電容器電源設(shè)計(jì)變換器 6.1萬(wàn) 0

基于碰撞電離率的平行平面結(jié)及晶閘管研究

功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)是平行平面結(jié)，結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān)，本次研究的重點(diǎn)結(jié)構(gòu)是晶閘管，而晶閘管的阻斷與開(kāi)啟都與體內(nèi)載流子的運(yùn)動(dòng)有關(guān)。

2023-11-27 標(biāo)簽：晶閘管擊穿電壓 MATLAB仿真 4.3萬(wàn) 0

UIS測(cè)試是什么？雪崩能量對(duì)實(shí)際應(yīng)用的影響

UIS：英文全稱Unclamped Inductive Switching，中文譯為非嵌位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)過(guò)程。

2023-11-24 標(biāo)簽：MOSFET UIS 擊穿電壓 1.2萬(wàn) 0

ESD器件的工作原理？CMOS I/O上的內(nèi)部ESD保護(hù)實(shí)現(xiàn)

靜電保護(hù)器件（ESD）是由一個(gè)或多個(gè) TVS 晶粒采用不同的電路拓?fù)渲瞥删哂刑囟üδ艿亩嗦坊騿温?ESD 保護(hù)器件。

2024-02-17 標(biāo)簽：CMOS ESD保護(hù)擊穿電壓 1.1萬(wàn) 0

芯片的幾個(gè)重要測(cè)試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。而測(cè)試環(huán)節(jié)主要集中在CP（chip probing）、FT（Final Test）和WAT...

2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 8089 0

全方位理解功率MOSFET的雪崩失效現(xiàn)象

功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見(jiàn)。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步...

2023-12-04 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 晶體管 7725 0

變壓器的絕緣—線圈絕緣介紹

變壓器絕緣結(jié)構(gòu)是變壓器中非常重要的組成部分，它能夠有效地隔離高壓和低壓部分，保證變壓器的正常運(yùn)行。

2023-12-22 標(biāo)簽：絕緣電阻擊穿電壓漏電流 4329 0

CP，F(xiàn)T，WAT都是與芯片的測(cè)試有關(guān)，他們有什么區(qū)別呢？如何區(qū)分？

CP是把壞的Die挑出來(lái)，可以減少封裝和測(cè)試的成本。

2024-05-09 標(biāo)簽：晶圓芯片封裝擊穿電壓 3781 0

影響絕緣擊穿電壓的因素有哪些

絕緣擊穿電壓是衡量絕緣材料或系統(tǒng)在多高電壓下會(huì)發(fā)生破壞性放電的一個(gè)重要指標(biāo)。影響絕緣擊穿電壓的因素眾多，包括材料特性、環(huán)境條件、設(shè)計(jì)參數(shù)等。以下詳細(xì)分析...

2024-06-09 標(biāo)簽：電容器擊穿電壓電場(chǎng) 3377 0

擊穿電壓帖子

有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式有哪些難點(diǎn)？

標(biāo)簽：MOSFET 擊穿電壓 12440 6

請(qǐng)教擊穿電壓與line to shape spacing的關(guān)系？

標(biāo)簽：電路板擊穿電壓 3738 11

電容器擊穿電壓是多少一般有什么限制?

標(biāo)簽：電容器擊穿電壓 427 1

擊穿電壓資料下載

LM4040精密微功耗并聯(lián)型電壓基準(zhǔn),帶有多種反向擊穿電壓立即下載

類別：IC datasheet pdf 2012-01-31 標(biāo)簽：電壓基準(zhǔn)擊穿電壓 LM4040 2507 0

LDMOS器件參數(shù)測(cè)試詳解立即下載

類別：電子資料 2021-06-07 標(biāo)簽：漏極 LDMOS 擊穿電壓 1336 0

擊穿電壓資訊

淺談電容器的選型方法

電容器作為一種儲(chǔ)能和濾波元件，用途廣泛，門(mén)類也極其眾多。大致可以分為：陶瓷電容，鉭電容，鋁電解電容，薄膜電容，超級(jí)電容，氧化鈮電容等等。以下NDF達(dá)孚電...

2020-03-09 標(biāo)簽：電容器擊穿電壓濾波元件 8553 0

為什么pn結(jié)擊穿電壓隨摻雜濃度升高而降低？

為什么pn結(jié)擊穿電壓隨摻雜濃度升高而降低？ PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中重要的一種，它是由摻有不同的雜質(zhì)形成的結(jié)構(gòu)而成。在PN結(jié)中，P層和N層之間形成了一個(gè)電勢(shì)...

2023-09-13 標(biāo)簽：PN結(jié)擊穿電壓半導(dǎo)體器件 7877 0

《漲知識(shí)啦9-邊緣終端》---場(chǎng)板

《漲知識(shí)啦9-邊緣終端》--- 場(chǎng)板本周《漲知識(shí)啦》給大家?guī)?lái)的是邊緣終端的系列內(nèi)容第二講，上一講我們介紹了正斜角的概念，它可以改善邊緣電場(chǎng)，起到提高...

2020-05-06 標(biāo)簽：電極 MOS 擊穿電壓 7621 0

簡(jiǎn)述：影響電纜絕緣電阻的四個(gè)因素

絕緣電阻是表征電纜絕緣特性的重要參數(shù)，驗(yàn)證電纜的這一參數(shù)有利于及時(shí)發(fā)現(xiàn)電纜問(wèn)題，降低電纜擊穿事故的發(fā)生率。接下來(lái)就跟著小編的腳步一起來(lái)看下。然而，我...

2020-05-08 標(biāo)簽：電纜絕緣電阻擊穿電壓 6337 0

PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿在溫度升高時(shí)擊穿電壓變化方向相反？

為什么PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿在溫度升高的情況下，擊穿電壓變化方向相反？? PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本的組成部件之一，廣泛應(yīng)用于電力、電信、信息處理等...

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《漲知識(shí)啦7》---雪崩擊穿的判斷條件：兩‘系數(shù)’，一‘積分’

《漲知識(shí)啦7》---雪崩擊穿的判斷條件：兩系數(shù)，一積分大家好，上周小賽收到童鞋的留言，不知道怎么判斷器件是否達(dá)到雪崩擊穿？那么本周小賽就給大家細(xì)致地講...

2020-04-07 標(biāo)簽：擊穿電壓電離 5223 0

MOS管在電路中如何控制電流大小？

MOS管在電路中如何控制電流大小？ MOS管是一種非常常見(jiàn)的電子器件，常用于各種電路中來(lái)控制電流的大小。一、MOS管的基本原理和結(jié)構(gòu) MOS管全稱金屬...

2023-12-21 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管擊穿電壓 5015 0

PN結(jié)的反向擊穿電壓是多少？二極管三極管和穩(wěn)壓管是否一樣呢？

PN結(jié)的反向擊穿電壓是多少？二極管三極管和穩(wěn)壓管是否一樣呢？ PN結(jié)的反向擊穿電壓 PN結(jié)是一種基本的半導(dǎo)體元件，在電子學(xué)中應(yīng)用廣泛。PN結(jié)的主要特點(diǎn)是...

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雪崩擊穿的概念如何區(qū)別齊納擊穿和雪崩擊穿雪崩擊穿是可逆的嗎？

雪崩擊穿的概念如何區(qū)別齊納擊穿和雪崩擊穿雪崩擊穿是可逆的嗎？雪崩擊穿是電氣工程領(lǐng)域中的一個(gè)重要概念，它是指當(dāng)高壓電力系統(tǒng)中的絕緣體遭受較高電壓的沖...

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為什么二極管在線測(cè)量時(shí)，反向有電壓？

為什么二極管在線測(cè)量時(shí)，反向有電壓？二極管是一種電子器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。在正常工作狀態(tài)下，二極管具有正向?qū)щ娦裕簿褪侵杆荒茏岆娏鲝恼颍?..

2024-01-15 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體擊穿電壓 4011 0

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是德科技公司(NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司,通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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FLIR Systems Inc，（NASDAQ： FLIR）作為創(chuàng)新成像系統(tǒng)制造領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，其產(chǎn)品范圍涉及紅外熱像儀、航空攝像機(jī)和機(jī)械檢測(cè)系統(tǒng)等。FLIR產(chǎn)品已在全球60余個(gè)國(guó)家內(nèi)的工商業(yè)及政府領(lǐng)域中發(fā)揮了重要作用。
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　　矢量信號(hào)發(fā)生器是為不斷滿足通信技術(shù)發(fā)展的數(shù)字化需求而出現(xiàn)的新型信號(hào)發(fā)生器，它將通信中的數(shù)字調(diào)制技術(shù)引入信號(hào)發(fā)生器技術(shù)領(lǐng)域，為通信設(shè)備的測(cè)試提供了必要的條件。

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