晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應(yīng)用

什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。

2022-03-15 標(biāo)簽：工藝光刻晶片 1302 0

光刻技術(shù)是什么,有哪些作用

光刻是在掩模中轉(zhuǎn)移幾何形狀圖案的過程，是覆蓋在表面的一層薄薄的輻射敏感材料(稱為抗輻射劑) ，也是一種半導(dǎo)體晶片。 圖5.1簡要說明了光刻用于集成電路制...

2022-03-09 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 6014 0

潔凈室光刻工藝石墨烯生物傳感器的制作

我們?nèi)A林科納研究了用于電解門制造的潔凈室工藝用于生物傳感的晶片尺度石墨烯場效應(yīng)晶體管。 我們的制造該工藝克服了兩個主要問題:去除石墨烯圖案化后的表面殘留...

2022-03-07 標(biāo)簽：傳感器工藝光刻 895 0

用于微系統(tǒng)的先進(jìn)光刻膠技術(shù)

對用于微加工微系統(tǒng)(MST)產(chǎn)品的高縱橫比光致抗蝕劑的發(fā)展的日益增長的興趣導(dǎo)致了許多商業(yè)上可獲得的光致抗蝕劑產(chǎn)品的可用性。本文詳細(xì)描述了三種抗蝕劑的應(yīng)用...

2022-03-04 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體光刻 960 0

光刻膠剝離工藝—《華林科納-半導(dǎo)體工藝》

摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝，同時保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?；一襟E的消除減少了不希望的...

2022-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 1854 0

光刻中接觸孔和溝槽的雙重構(gòu)圖策略

摘要 一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案，第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個開口；在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個開口內(nèi)形成第二抗蝕劑圖案，...

2022-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 723 0

超臨界二氧化碳處理技術(shù)在光刻技術(shù)中的應(yīng)用

作為半導(dǎo)體器件和MEMS微加工技術(shù)基礎(chǔ)的光刻技術(shù)中，顯影和清洗等濕法工藝是必不可少的。在本稿中，介紹了能夠定量評價超臨界CO2處理對微細(xì)光刻膠圖案―基板...

2022-02-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體mems光刻 1148 0

關(guān)于非晶半導(dǎo)體中的光刻工藝的研究報告

引言 在光刻過程中，光敏材料根據(jù)其上的輻照量改變其在某些蝕刻劑中的溶解度。在高分辨率光刻材料的薄層中形成的浮雕圖案可以作為集成光學(xué)或集成電子器件的組件使...

2022-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 613 0

關(guān)于濕蝕刻中蝕刻劑擴散到深紫外光刻膠中的研究報告

引言 在許多集成電路制造步驟中，化學(xué)蝕刻仍然優(yōu)于等離子體蝕刻。事實上，它能夠?qū)崿F(xiàn)更好的表面光滑度控制，這是獲得足夠的載流子遷移率至關(guān)重要的。在這些步驟中...

2022-01-18 標(biāo)簽：光刻光刻膠 682 0

關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備等知識點集合

最近光博會上看到一本關(guān)于光刻的小冊子，里面有一點內(nèi)容，分享給大家。 關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備、光刻膠的種類和選擇等。 開篇 光刻的原理 表面處理：一般的...

2021-10-13 標(biāo)簽：探測器光刻光刻膠 5187 0

2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場規(guī)模將同比增長11％

按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用...

2021-05-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體光刻 4474 0

關(guān)于光刻技術(shù)淺述

經(jīng)常聽到別人說7納米光刻機、5納米光刻機，但其實嚴(yán)格意義上來說并不存在7納米光刻機，5納米光刻機，我為什么會這樣說呢？

2021-03-30 標(biāo)簽：光刻光刻機電子線路圖 3209 0