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標簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。
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在光刻過程中，鉻被用作掩膜版的關鍵材料。鉻在紫外光下表現出高光學密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層...
?OPTOLITH模塊可對成像(imaging)，光刻膠曝光(exposure)，光刻膠烘烤（bake）和光刻膠顯影（development）等工藝進行精確定義
應用厚的光刻膠，并使用階梯式掩模形成圖案（A thick photoresist is applied and patterned with the s...
光伏電池可以根據不同的材料和工藝進行分類。以下是一些常見的光伏電池分類： 1. 硅晶體太陽能電池：硅晶體太陽能電池是最常見和廣泛應用的光伏電池類型...
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形...
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關鍵指標。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化...
先進 5nm 器件或先進封裝的良率提升需要識別和去除從光刻到封裝材料的關鍵缺陷，因此智能和快速的晶圓級檢測必不可少。
SSMB就產生了和FEL類似的“微聚束”，但是關鍵還加上了“穩態”。FEL不是穩態，電子團在波蕩器里自由互相作用，最后發出強光完事。SSMB是讓電子束在...
黃光的波長遠離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護光敏材料免受不必要的曝光。
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設計過程中的后續步驟。
在智能手機等眾多數碼產品的更新迭代中，科技的改變悄然發生。蘋果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術成為可能。這些芯片是如何被制造出來的，其中又有哪...
EUV光刻技術仍被認為是實現半導體行業持續創新的關鍵途徑。隨著技術的不斷發展和成熟，預計EUV光刻將在未來繼續推動芯片制程的進步。
OLED制程。①OLED陽極。②蒸鍍OLED器件。蒸鍍和傳統OLED不一樣，沒有這么密的mask，需要先白光，再加濾光。③封裝，即薄膜封裝層。④CF彩色...
2023-12-04 標簽：OLED光刻Micro OLED 3507 0
本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(D...
Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度
來源：C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度（LER）指的是柵極圖案邊緣的隨機變化，即印刷圖案邊緣的粗糙度。當最小特征尺寸減小到幾十...
光刻是集成電路（IC或芯片）生產中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復制電路圖案的過程。
光刻膠層透過掩模被曝光在紫外線之下，變得可溶，掩模上印著預先設計好得電路圖案，紫外線透過它照在光刻膠層上，就會形成每一層電路圖形。這個原理和老式膠片曝光類似。
共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...
隨著光刻技術的進步，光刻光源的曝光波長已經減小很多。早期投影式光刻技術的曝光波長為436nm、365nm （分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線），所...
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