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標簽 > 光刻技術
隨著半導體技術的發展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數量級(從毫米級到亞微米級),已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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EUV掩膜,也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對于極紫外光刻(EUVL)這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術,用于制造具有更小特征尺寸和增...
由于無法獲得尖端光學光刻技術,中國芯片的制造工程目前限制在14納米,為了獲得更小的芯片、更強的性能,突破尖端包裝技術更為重要。此前,toff micro...
中國在半導體芯片制造方面仍落后于美國。早在上世紀60年代,美國就開始占據世界半導體市場的絕對主導地位。隨著技術的不斷發展,半導體芯片的制造越來越精細化。...
現代工藝技術將晶圓廠設備要求推向極限,需要實現突破其物理極限的高分辨率,這正是計算光刻技術發揮作用的地方。計算光刻就是為芯片生產制作光掩模的技術,它結合...
為滿足集成電路中對納米結構器件的尺寸及質量的高性能要求,有效地解決表面等離子體光刻技術中存在的near-field OPE問題,中國科學院大學集成電路學...
黃仁勛稱,英偉達經過與臺積電、ASML、Synopsys(新思科技)三大半導體巨頭的多年合作,終于推出了這一技術,大大降低芯片代工廠在這一工序上所消耗的...
GTC 2023:NVIDIA cuLitho將加速計算引入計算光刻技術領域的突破性成果
GTC 大會:NVIDIA cuLitho將加速計算引入計算光刻技術領域的突破性成果 在摩爾定律接近物理極限之際,半導體行業要怎么做?借助AI? 現在半...
日本最寄望于納米壓印光刻技術,并試圖靠它再次逆襲,日經新聞網也稱,對比EUV光刻工藝,使用納米壓印光刻工藝制造芯片,能夠降低將近四成制造成本和九成電量,...
但imec先進成像、工藝和材料高級副總裁斯蒂芬·希爾(Steven Scheer)在接受采訪時非常理性地指出,要經濟高效地引入High NA EUV光刻...
最近,基于超分辨率熒光顯微技術這一諾貝爾獎級成果,科學家報道了一種應用于光刻膠的雙光束激光光刻技術。這里使用一道甜甜圈形狀的環形光束,來抑制寫入光束所觸...
軟光刻技術可通過在可變形彈性體(例如聚二甲基硅氧烷(PDMS))上使用光刻圖形化模具,實現具有精確特征的微流控器件快速成型(rapid prototyp...
過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術的發展。在使用 F2 準分子激光器開發基于 157 納米的光刻技術方面付出了一些努力,但主要關注點是使用 1...
盡管EUV的生產力還沒有達到客戶的預期,但幾年來,EUV 已經成為世界上最先進芯片的生產過程中不可或缺的一部分。
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光。
當人們意識到汽油動力機器和車輛對環境的負面影響時,似乎只要改用電池就可以解決這些問題了。從那時起,似乎沒有人質疑這種新的、所謂完全環保的選擇。然而,沒過...
對于3nm后的節點,ASML及其合作伙伴正在研究一種全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列,具有0.55 NA(High-NA)透鏡...
負性光刻膠。樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是一種經過曝光后釋放出氮氣的光敏劑,產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶于顯...
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