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標(biāo)簽 > 低導(dǎo)通電阻
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由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)先選擇NMOS。
2024-04-25 標(biāo)簽:電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開關(guān) 5011 0
ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 2203 0
芯佰微推出四個(gè)獨(dú)立可選開關(guān)的單芯片CMOS工藝器件
CBMG713表現(xiàn)出先斷后合的切換動(dòng)作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封裝。
2023-04-17 標(biāo)簽:CMOS導(dǎo)通電阻低導(dǎo)通電阻 628 0
ROHM開發(fā)具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能,還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron)*2,...
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)低導(dǎo)通電阻 623 0
TPS22995 具有可調(diào)上升時(shí)間的 5.5V 3.5A 20mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān),集成了N-channel MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時(shí)間,用于限制啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。...
2025-05-07 標(biāo)簽:MOSFET筆記本電腦負(fù)載開關(guān) 187 0
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