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標(biāo)簽 > 二極管
二極管,(英語(yǔ):Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。
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半波整流是一種常見(jiàn)的整流方式,通常用于將交流電轉(zhuǎn)換為脈動(dòng)直流電。在半波整流電路中,二極管起著至關(guān)重要的作用。如果二極管接反,將會(huì)導(dǎo)致整流電路無(wú)法正常工作...
1、純凈的半導(dǎo)體是四價(jià)元素,呈晶體結(jié)構(gòu),內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。 2、半導(dǎo)體有電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電兩種形式。 3、硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化...
純硬件方案模擬手動(dòng)開(kāi)關(guān)機(jī),解決國(guó)產(chǎn)CPU斷電間隔短無(wú)法啟動(dòng)問(wèn)題
本案例中的一個(gè)問(wèn)題可能是很多國(guó)產(chǎn)芯片的通病,可以提供一種解決思路。
選擇電力二極管器件額定電流的原則是一個(gè)涉及電子工程和電力電子領(lǐng)域的復(fù)雜話題。 電力二極管的工作原理 電力二極管是一種半導(dǎo)體器件,它允許電流在一個(gè)方向上流...
2024-09-13 標(biāo)簽:二極管電子設(shè)備半導(dǎo)體器件 1132 0
VGA- 靜電放電及插拔脈沖電壓防護(hù)-優(yōu)恩半導(dǎo)體
方案簡(jiǎn)介:VGA(VideoGraphicsArray)即視頻圖形陣列,具有分辨率高、顯示速率快、顏色豐富等優(yōu)點(diǎn),亦稱(chēng)為D-Sub接口。它采用的是模擬協(xié)...
TVS二極管具有響應(yīng)速度快、漏電流小、鉗位電壓穩(wěn)以及無(wú)壽命衰減的特性,從小到信號(hào)線靜電防護(hù),大到電力系統(tǒng)抗雷擊浪涌,TVS都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本章對(duì)...
極管泵浦固態(tài)激光器,有著廣泛的工業(yè)和科學(xué)應(yīng)用。二極管激光器價(jià)格的不斷下降,應(yīng)用正在擴(kuò)展到高功率范圍。此外,泵浦方式的改善使二極管激光輻射高效和緊聚焦到激光材料。
2025-02-10 標(biāo)簽:二極管導(dǎo)電半導(dǎo)體元件 1128 0
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
光耦隔離就是采用光耦合器進(jìn)行隔離。光耦合器的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于把發(fā)光二極管和光敏三極管封裝在一起。光耦隔離電路使被隔離的兩部分電路之間沒(méi)有電的直接連接,主要是...
柵極鉗位TVS二極管對(duì)IGBT雙脈沖開(kāi)關(guān)特性的影響
階段1(0—t1),在t=0時(shí)刻,開(kāi)關(guān)S動(dòng)作,lGBT開(kāi)始關(guān)斷,柵極通過(guò)RG開(kāi)始放電,VGE下降。這導(dǎo)致通過(guò)溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少,但是由于感性負(fù)...
新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術(shù),特征導(dǎo)通電阻Rsp(導(dǎo)通電阻Ron*芯片面積AA)相對(duì)上一代降低43.8%,具...
關(guān)于硅材料雜質(zhì)濃度測(cè)試,經(jīng)研究,參考肖特基二極管雜質(zhì)濃度測(cè)試方案,兩者幾乎一致,因此,針對(duì)硅材料雜質(zhì)濃度測(cè)試亦采用CV法測(cè)量。
ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電)保護(hù)二極管是電子電路中至關(guān)重要的保護(hù)元件,它能夠在靜電放電事件發(fā)生時(shí)迅速響應(yīng),將靜電能...
電容串聯(lián)二極管能否充電,取決于二極管的偏置狀態(tài)以及電源的類(lèi)型(直流DC或交流AC)。 直流電源情況 : 正向偏置 :如果二極管的正極連接到直流電源的正極...
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無(wú)處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。
現(xiàn)代汽車(chē)和工業(yè)系統(tǒng)需要穩(wěn)定的電壓源,即使系統(tǒng)輸入電壓從一個(gè)極端掃描到另一個(gè)極端。在汽車(chē)系統(tǒng)中,冷啟動(dòng)啟動(dòng)、動(dòng)態(tài)燃油管理系統(tǒng)中的氣缸停用/激活或發(fā)動(dòng)機(jī)負(fù)載...
2022-12-16 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1116 0
優(yōu)恩半導(dǎo)體-USB3.1- ESD靜電放電及插拔脈沖電壓防護(hù) II
方案簡(jiǎn)介:USB3.1新標(biāo)準(zhǔn)的面世為這種運(yùn)用廣泛的數(shù)據(jù)接口帶來(lái)了重大變化,其中包括更高的數(shù)據(jù)速率。該標(biāo)準(zhǔn)將以前的USB3.0標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)速率提升了一倍(達(dá)...
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