資料介紹
采用Bi Ge。O (BGO)晶體作為傳感元件,設(shè)計(jì)了一種閉合磁環(huán)型光纖電流傳感器,并對(duì)
其傳感特性進(jìn)行了理論分析和實(shí)驗(yàn)研究.將BGO晶體加.Y-成一帶斜面的長(zhǎng)方體,并在端面鍍金屬
膜,通過(guò)光在晶體中多次 臨界反射來(lái)增大光程以提高測(cè)量靈敏度.實(shí)驗(yàn)測(cè)量得到的法拉第轉(zhuǎn)角與
采用倍頻法測(cè)量的結(jié)果符合較好,但與實(shí)際結(jié)果存在一較大比例系數(shù).對(duì)產(chǎn)生該系統(tǒng)誤差的主要
因素— — 傳感頭端面金屬膜反射引起的相移及入射角偏離臨界角時(shí)產(chǎn)生的相移進(jìn)行了詳細(xì)地理論
分析和數(shù)值模擬.結(jié)果表明,金屬膜反射和偏離 臨界角引起的相移對(duì)測(cè)量結(jié)果均有較大影響,但輸
出與作用在傳感頭上的磁感應(yīng)強(qiáng)度呈很好的線性關(guān)系,可以通過(guò)將傳感器的測(cè)量值乘上一個(gè)補(bǔ)償
系數(shù)來(lái)消除反射相移所產(chǎn)生的誤差.
其傳感特性進(jìn)行了理論分析和實(shí)驗(yàn)研究.將BGO晶體加.Y-成一帶斜面的長(zhǎng)方體,并在端面鍍金屬
膜,通過(guò)光在晶體中多次 臨界反射來(lái)增大光程以提高測(cè)量靈敏度.實(shí)驗(yàn)測(cè)量得到的法拉第轉(zhuǎn)角與
采用倍頻法測(cè)量的結(jié)果符合較好,但與實(shí)際結(jié)果存在一較大比例系數(shù).對(duì)產(chǎn)生該系統(tǒng)誤差的主要
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出與作用在傳感頭上的磁感應(yīng)強(qiáng)度呈很好的線性關(guān)系,可以通過(guò)將傳感器的測(cè)量值乘上一個(gè)補(bǔ)償
系數(shù)來(lái)消除反射相移所產(chǎn)生的誤差.
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