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SOI 和體硅集成電路工藝平臺互補問題的探討
上海鐳芯電子有限公司鮑榮生
摘要
本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電路（IC）和常規的體硅IC 相比在性能上有許多優點，因此很有發展前途。目前SOI 材料的性能和體硅相比確有一些差距，其主要原因是SOI 的缺陷密度需進一步降低；但是有些質量問題要進行具體分析；例如工藝中不受控的重金屬雜質集中在SOI 區內無法泄漏；空氣中硼（B）雜質污染硅片引起電阻率的變化；襯底的硅片是直拉單晶，其高濃度氧（O）雜質在高溫時外擴散到SOI 中引起SOI 中O 濃度提高等；這些問題的起因主要是由于各種雜質在硅中和二氧化硅中擴散系數不同所引起的，這些問題的解決有的需要二個工藝平臺的互補，即需要相互配合使SOI IC 的質量不斷提高；本文將這些雜質產生的原因，影響和
改進方法作初步探討。
上海鐳芯電子有限公司鮑榮生
摘要
本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電路（IC）和常規的體硅IC 相比在性能上有許多優點，因此很有發展前途。目前SOI 材料的性能和體硅相比確有一些差距，其主要原因是SOI 的缺陷密度需進一步降低；但是有些質量問題要進行具體分析；例如工藝中不受控的重金屬雜質集中在SOI 區內無法泄漏；空氣中硼（B）雜質污染硅片引起電阻率的變化；襯底的硅片是直拉單晶，其高濃度氧（O）雜質在高溫時外擴散到SOI 中引起SOI 中O 濃度提高等；這些問題的起因主要是由于各種雜質在硅中和二氧化硅中擴散系數不同所引起的，這些問題的解決有的需要二個工藝平臺的互補，即需要相互配合使SOI IC 的質量不斷提高；本文將這些雜質產生的原因，影響和
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