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從智能手機(jī)到服務(wù)器場(chǎng)，幾乎每種電子器件都采用某種形式的 RAW 存儲(chǔ)器。盡管閃存 NAND 因在各種消費(fèi)電子中盛行而持續(xù)增長(zhǎng)，但 SDRAM 仍是大多數(shù)計(jì)算機(jī)及基于計(jì)算機(jī)的產(chǎn)品采用的主要存儲(chǔ)器技術(shù)，其以每個(gè)比特相對(duì)較低的成本，提供了優(yōu)秀的速度和存儲(chǔ)容量組合。DDR或雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM已經(jīng)成為當(dāng)前首選的存儲(chǔ)器技術(shù)，隨著各個(gè)公司努力提高速度和容量，同時(shí)降低成本、能耗預(yù)算及存儲(chǔ)器設(shè)備的物理尺寸，這一技術(shù)也在不斷演進(jìn)。
信號(hào)接入和探測(cè)
在存儲(chǔ)器驗(yàn)證要克服的第一批障礙中，其中一個(gè)障礙是接入和采集必要信號(hào)的問(wèn)題。JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定應(yīng)在存儲(chǔ)器器件的BGA球輸出上進(jìn)行測(cè)量。FBGA器件包括一個(gè)用于特定用途、不能接入的焊球連接陣列，那么怎樣才能實(shí)現(xiàn)這種測(cè)量呢？
一個(gè)解決方案是在PCB布線過(guò)程中進(jìn)行測(cè)試設(shè)計(jì)，在存儲(chǔ)器器件下面直接包括通路，這些通路可以在電路板背面探測(cè)。盡管這些測(cè)試點(diǎn)并不是嚴(yán)格地“位于器件球輸出上”，但在實(shí)踐中，通過(guò)PCB的軌跡長(zhǎng)度一般足夠短，信號(hào)劣化影響非常小。在使用這種方法時(shí)，信號(hào)完整性通常相當(dāng)好，能夠以可接受的測(cè)試余量執(zhí)行電接口驗(yàn)證。
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