資料介紹
如何有效地在ATE上提高DDR存儲器接口測試覆蓋率
葉慶, 郭錚, 楚中曙, 粟涯上海交通大學(xué)微電子學(xué)院,上海,中國,200122
摘要:雙倍數(shù)據(jù)速率( DDR, Double Data Rate)DRAM由于其速度快、容量大,
而且價(jià)格便宜,因此在各種需求大量數(shù)據(jù)緩存的場合得到了廣泛使用。目前芯片上
內(nèi)嵌的DDR DRAM接口已經(jīng)成為標(biāo)準(zhǔn)接口,這就需要對其本身進(jìn)行測試。由于每個
芯片速度特性的不同,使得DDR DRAM接口時間特性也不一樣,用相同的測試程序
覆蓋速度不同的芯片,會造成測試覆蓋率的不同。本文在DQS上升沿轉(zhuǎn)換點(diǎn)的搜索
定位基礎(chǔ)上,通過對DQS、DQ時間采樣點(diǎn)賦值的方法,有效地解決了因芯片速度特
性不同而引起的測試覆蓋率問題。該方法經(jīng)過批量生產(chǎn)的驗(yàn)證,可以提高約30%的
測試良率。
關(guān)鍵詞:DDR, 采樣點(diǎn)(輸出數(shù)據(jù)波形時間采樣點(diǎn)), 搜索定位
葉慶, 郭錚, 楚中曙, 粟涯上海交通大學(xué)微電子學(xué)院,上海,中國,200122
摘要:雙倍數(shù)據(jù)速率( DDR, Double Data Rate)DRAM由于其速度快、容量大,
而且價(jià)格便宜,因此在各種需求大量數(shù)據(jù)緩存的場合得到了廣泛使用。目前芯片上
內(nèi)嵌的DDR DRAM接口已經(jīng)成為標(biāo)準(zhǔn)接口,這就需要對其本身進(jìn)行測試。由于每個
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性不同而引起的測試覆蓋率問題。該方法經(jīng)過批量生產(chǎn)的驗(yàn)證,可以提高約30%的
測試良率。
關(guān)鍵詞:DDR, 采樣點(diǎn)(輸出數(shù)據(jù)波形時間采樣點(diǎn)), 搜索定位
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