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隨機靜態(tài)存儲器低能中子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng):建立了中子單粒子翻轉(zhuǎn)可視化分析方法,對不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工藝商用隨機靜態(tài)存儲器(SRAM)器件開展了反應(yīng)堆中子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的實驗研究,獲得了SRAM 器件的裂變譜中子單粒子翻轉(zhuǎn)截面隨特征尺寸變化的變化趨勢。研究結(jié)果表明:SRAM 器件的特征尺寸越小,其對低能中子導(dǎo)致的單粒子翻轉(zhuǎn)的敏感性越高。
關(guān)鍵詞: 隨機靜態(tài)存儲器; 低能中子; 單粒子效應(yīng); 反應(yīng)堆; 特征尺寸; 臨界電荷
關(guān)鍵詞: 隨機靜態(tài)存儲器; 低能中子; 單粒子效應(yīng); 反應(yīng)堆; 特征尺寸; 臨界電荷
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