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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>MOSFET講解-11

      MOSFET講解-11

      2025-04-19 | pdf | 334.93 KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      通過對上面回路的分析，我們認(rèn)為，對于互補(bǔ)輸出電路來說，下 管關(guān)閉期間，上管瞬間導(dǎo)通，導(dǎo)致下管 GS 出現(xiàn)干擾，有可能下管誤 導(dǎo)通。比如說，下管的導(dǎo)通閾值是 4.5V。如果干擾波形的幅值小于 4.5V，這個(gè)是安全的。

      誤觸發(fā)信號受哪些因素影響：

      1、控制信號和 Id 電流回路太大；

      2、地線的干擾影響；

      3、GS 阻抗的影響；

      4、MOSFET 本身特性的影響。

      選擇 MOS 管的考量因素：

      1、高壓管子：AC120V DC170V 以上的管子，建議使用高閾值的管子。

      2、低壓管子：a）大電流：用高閾值

                                   b）小電流：用低閾值

      接下來分析，在死區(qū)期間，下管導(dǎo)通是什么樣的回路。

      下管導(dǎo)通瞬間，上管是關(guān)閉的。那么下管導(dǎo)通瞬間，是發(fā)生在下 管的 Rdson 從無窮大到很小的過程中的。

      下管突然導(dǎo)通，M 點(diǎn)的電壓肯定會(huì)被拉低，既然被拉低，必 然有一個(gè)回路存在。如下圖所示：

      當(dāng)下管開通瞬間，會(huì)產(chǎn)生上面這條回路。必然對上管的柵極電壓產(chǎn)生影響，也會(huì)導(dǎo)致在平臺期間上管出現(xiàn)誤觸發(fā)。所以，要選擇高閾 值的管子更好一些。

      總結(jié)性結(jié)論：

       

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