接下來(lái)我們要講一下開(kāi)通和關(guān)斷的問(wèn)題了。那么，MOSFET 如何進(jìn)行開(kāi)通，如何 進(jìn)行關(guān)斷呢？以及在這個(gè)過(guò)程中，會(huì)不會(huì)也產(chǎn)生損耗。

在講這個(gè)之前，我再做一個(gè)補(bǔ)充：

這個(gè)電路是斷路的，一旦 GS 電容上有電的話，那么 DS 實(shí)際上是導(dǎo)通的，與有 沒(méi)有回路沒(méi)有關(guān)系。正式因?yàn)檫@樣子的一個(gè)特性，那么，我們拿到一個(gè)管子的時(shí) 候，我們也不知道這個(gè)管子 GS 有沒(méi)有電，這個(gè)管子有可能是導(dǎo)通的，放到電路 上去焊接的時(shí)候，可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。為了考慮到安全性，我們必須在電路設(shè)計(jì)的 時(shí)候，在 MOSFET 的 G 和 S 之間要加一個(gè)電阻，這樣子就可以讓 GS 電容進(jìn)行放 電，有了這樣的一個(gè)放電回路，不管前面驅(qū)動(dòng)端是高阻態(tài)也好，是斷路也好，反 正 G 和 S 之間是有回路的，確保管子是關(guān)閉的。

我們把 GS 之間接一個(gè)下拉電阻。那么接下來(lái)就要看，這個(gè)下拉電阻的取值。實(shí) 際上這個(gè)下拉電阻相當(dāng)于三極管 N 管的下拉電阻。我們說(shuō)，學(xué)習(xí) MOS 管，要對(duì) 標(biāo)我們大家都熟悉的三極管，這樣就更輕松，更容易理解。

我們說(shuō)，這個(gè)下拉電阻的好處是什么啊？

1. 可以確保 B 極是兩態(tài)（三態(tài)：高、低、高阻態(tài)）。 實(shí)際上，我們害怕的就 是高阻態(tài)嘛，由于當(dāng)你前面不接的時(shí)候，又?jǐn)嚅_(kāi)了，才有高阻態(tài)。在電路設(shè)計(jì)中， 我們從邏輯角度來(lái)講，不是高就是低，這樣子才是最好的，有利于電路的邏輯。

同樣的，MOSFET 加了一個(gè)下拉電阻。

作用：確保給 GS 電容提供放電回路——確保關(guān)斷，低態(tài)。

這樣 MOSFET 就只有兩態(tài)，不是高就是低。另外，下拉電阻，也可以防止雷擊，靜電。

實(shí)際上，對(duì)于晶體管來(lái)說(shuō)，如果沒(méi)有一個(gè)完整的額回路，是不導(dǎo)通的；但是 MOSFET 不一樣，它不需要一個(gè)完整的回路，也能夠讓它導(dǎo)通。

接下來(lái)我們研究一下 MOSFET 的開(kāi)通問(wèn)題：

由于有這個(gè) GS 電容的存在，MOSFET 的開(kāi)通，肯定就會(huì)有一個(gè)延時(shí) 我們這個(gè) MOSFET 的模型怎么去建立呢？

我們前面講過(guò)了，MOSFET 在導(dǎo)通的時(shí)候，DS 之間還有一個(gè) Rdson，導(dǎo)通阻抗。

問(wèn)題補(bǔ)充：

我們說(shuō)，晶體管這個(gè)地方的下拉電阻是 2K，是經(jīng)過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)電路和驗(yàn)證的。 對(duì)于低功耗的電路來(lái)說(shuō)，這個(gè)電阻可以取高一點(diǎn)，但是不要取的太低。取的太低 的話，就有可能導(dǎo)致晶體管不能正常的工作。為什么這么說(shuō)呢？我們可以舉個(gè)例 子：

因?yàn)?be 鉗位電壓，導(dǎo)通之后是 0.7V，前提是導(dǎo)通之后，這一點(diǎn)很重要哦。

電阻分壓后，M 電的電位要大于 0.7V 才行，所以，下拉電阻不能太小。 我們假設(shè)下拉電阻取 100Ω：

那么，M 點(diǎn)分壓后小于 0.7V，三極管是不會(huì)導(dǎo)通的。所以，下拉電阻不能太 小，當(dāng)然也不能太大，否則，對(duì)于高頻開(kāi)關(guān)信號(hào)來(lái)說(shuō)，會(huì)影響它的關(guān)斷時(shí)間。大家在以后的電路設(shè)計(jì)中，如果是頻率相對(duì)較高的開(kāi)關(guān)信號(hào)，一般都取 2K，就不 用再考慮其他的了

我們?cè)賮?lái)看 MOSFET 的下拉電阻，取多少呢？我們知道三極管的閾值電壓是 0.7V，而 MOSFET 的閾值電壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于 0.7V，其實(shí)這里的阻值選取跟這里閾值電 壓有關(guān)，如果這里取小了，那么分壓之后，一直在它的平臺(tái)電壓，那這個(gè) MOSFET 肯定也是不行的。所以，MOSFET一般地下拉電阻取值可以取大一點(diǎn)，這樣MOSFET 開(kāi)通就不會(huì)產(chǎn)生影響，而 MOSFET 的放電更多的是靠前面進(jìn)行放電，也沒(méi)事的對(duì) 吧。當(dāng)然，這個(gè)電阻也不能太大，否則靜電雷擊也會(huì)對(duì) MOSFET 造成損壞。

MOSFET 下拉電阻選取原則：

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