接下來(lái)我們討論一下 Igs 電流。

由于下拉電阻 R2 比柵極驅(qū)動(dòng)電阻 R3 大很多，所以，接下來(lái)分析 時(shí)忽略掉下拉電阻，這個(gè)時(shí)候就要看電容了。剛開(kāi)始充電的是時(shí)候， 電容的電壓為 0。所以，最開(kāi)始的充電電流就是 12V/100R=120mA，這 就是 Igs 最開(kāi)始的充電電流

如果 GS 電容的電充滿了，對(duì)于 R2 下拉電阻這條電路而言 的電流就是 12V/18K=0.67mA，是一個(gè)特別小的電流。通過(guò)分析，我 們知道，Igs 電流是和 Vgs 電壓是反過(guò)來(lái)的

上面這張圖包含了 MOSFET 相關(guān)的一些波形關(guān)系，當(dāng)然也是理想的 波形圖。另外，還有朋友在實(shí)測(cè)時(shí)，發(fā)現(xiàn) Vds 電壓波形與 Id 的電流 波形是不同相位的，電流滯后于電壓，這是由于電流探頭精度不高引 起的。電流探頭上有一個(gè)頻率，如果是 Hz 級(jí)別的，肯定是不行的， 測(cè)不準(zhǔn)的。電流能響應(yīng)的開(kāi)關(guān)頻率要高才行，這樣的探頭要 1 萬(wàn)元左 右，而且是有源電流探頭，而價(jià)格低的電流探頭延時(shí)性就很大

雖然當(dāng)米勒平臺(tái)區(qū)過(guò)了之后，Vgs 的電壓會(huì)繼續(xù)升高，但是隨著 Vgs 的不斷升高，Rdson 還是會(huì)有變化，只有達(dá)到一定的電壓了，Rdson 才會(huì)達(dá)到數(shù)據(jù)手冊(cè)上所宣稱的阻值。實(shí)際上，根據(jù)大量的經(jīng)驗(yàn)，一般我們認(rèn)為當(dāng) Vgs 兩端的電壓達(dá)到 10V 以上時(shí)，Rdson 才會(huì)達(dá)到最小值， 如果再給一個(gè)余量的話，建議 Vgs 驅(qū)動(dòng)電壓差不多 12V 或 15V，這也 是因?yàn)檫@兩個(gè)電壓經(jīng)常在電路中用到

我們通過(guò)分析知道，MOSFET 的米勒平臺(tái)區(qū)域是最危險(xiǎn)的區(qū)域。那 么在整個(gè) MOSFET 一個(gè)周期內(nèi)，它的損耗有哪些呢？

t0-t1 時(shí)刻，無(wú)損耗；

t1-t2 時(shí)刻，有損耗，用平均電流 Id/2*Vds；

t2-t3 時(shí)刻，有損耗，用平均電壓*Id；

t3-飽和導(dǎo)通時(shí)刻，有損耗；

飽和導(dǎo)通之后，導(dǎo)通損耗，Rdson*Id^2。

關(guān)斷波形和開(kāi)通是接近的，這里就不作分析了

由于 MOSFET 在開(kāi)通期間，既有電壓又有電流，則存在開(kāi)通損耗； 那么在關(guān)斷期間，也會(huì)有損耗，叫做關(guān)斷損耗

總結(jié)一下，MOSFET 的四大損耗：開(kāi)通損耗、關(guān)斷損耗、導(dǎo)通損耗、 續(xù)流損耗

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