一：如上圖紅框里面的電路是反激電源的鉗位電路，用的 RCD 鉗位，這一個電路在開關電源中非常常見，可以說現在市面上的反激大部分是用的這一電路設計這個電路的目的是吸收反激變壓器漏感的能量，限制 MOS 功率管的最大反向峰值電壓。但是設計的時候我們怎么選取是一個很大的問題，RC 吸收損耗太重會影響整機的效率，如果 RC 損耗太輕的就會影響 MOS 管的電壓尖峰導致尖峰太高 MOS 管電壓應力超。所以設計這個電路我們的綜合考慮

二：設計 RCD 吸收電路之前，我們要清楚為什么需要設計這一電路，目的是什么對于反激變壓器我們都知道是有漏感存在的

首先需要知道什么是漏感

我們知道變壓器主要是由初級線圈，次級線圈與磁芯組合而成，它是利用電磁感應的原理來改變交流電壓的一種元器件，理想的變壓器是沒有損耗的并且沒有漏磁通，但是實際中的電感是有損耗與漏磁通，初級線圈所產生的磁通不能都通過次級線圈，產生漏磁的電感就是漏感，也就是說在漏感中的能量是不能傳遞到副邊的，這一部分能量只能在原邊，不能傳遞到副邊的這些能量我們需要處理，可以通過一些電路來吸收掉，或是返回到輸入母線上去，這就有人會設計所謂的無損吸收，但是在實際應用中比較復雜并且 EMI 不好

所以大多數都是用 RCD 損耗掉了，那我們設計 RCD 的目的就是把漏感能力吸收掉，但是不能把主回路的能量損耗掉，否則會影響整機的效率。要做到這點必須對 RC 參數進行優化設計

三：我們來分析下 RCD 吸收的整個過程

當 MOS 管開通的時候電感電流上升到 Ip 時 MOS 管關斷，漏感上的能力不能傳到副邊，這時候只能通過 D6 給 C3 充電，把所以的能力都充到 C3 上，當C3 比較小的時候，那么 C3 上的電壓 Vc 就上升的比較高，這時候為了 MOS管的應力，我們可能會加大 C3 的容量，具體可以通過測試實際的波形來判斷但是，我們不希望電容太大，如太大會導致關斷的時候 C3 上的電壓 Vc 小于反射電壓 Vr，導致副邊反射過來的電壓 Vr 一直在給 RCD 充電，導致整機效率低電容的選擇我們需要剛好適合我們 MOS 管的 Vds 電壓我們的電阻的選擇也不能太小了或太大，如果太小了會導致 Q1 沒有開通前C3 上的電壓已經掉到了反射電壓 Vr 了，這時候反射電壓 Vr 又會對 RCD 充電損耗輸出的能量

電阻值太大會導致我們在開機與短路的時候會出現 MOS 管電壓應力超我們如圖上的 C3 上的電壓波形 3 一樣，就是關斷的時候電壓上升到 Vr 以上當 MOS 管的開通的時候 C3 電容上的電壓沒有下降到 Vr，并且當下次開通的時候 C3 上的電壓還沒有掉到 0V.這是我們的最佳選

四：鉗位電路上的電阻與電容的選擇

VDS 是 MOS 管的額定電壓，我了留有余量我們一般都是取 MOS 管的額度電 壓的 0.9 倍

Vc 是 RCD 上 C 的電壓

Vin-max 是輸入的最大電壓

Vc=0.9VDS-Vin-max

f 為開關頻率

Ip 我原邊的峰值電流

漏感上的能量都被電容吸收，然后都損耗到電阻 R1 上

電阻上損失的功率 Pr=Vc^2/R1,實際的電阻需要取 2 倍的 Pr

漏感中轉過來的能量 WR=Wlr1+Wlr*Vr/（Vc-Vr）

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