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使用 F-RAM 構建具有超低功耗長期存儲功能的電池供電設備

2512920 2022-11-25 | pdf | 219.67KB | 次下載 | 免費

資料介紹

可靠的長期數據存儲已成為為消費、工業和其他領域設計的移動電池供電設備中日益重要的要求。閃存或電可擦除可編程只讀存儲器 (EEPROM) 等傳統非易失性存儲器 (NVM) 技術已在早期產品中滿足了這一需求。可靠的長期數據存儲已成為為消費、工業和其他領域設計的移動電池供電設備中日益重要的要求。閃存或電可擦除可編程只讀存儲器 (EEPROM) 等傳統非易失性存儲器 (NVM) 技術已在早期產品中滿足了這一需求。然而，對于當今的高級移動產品，用戶對延長電池壽命的持續期望極大地限制了能夠在不影響設計性能或功率預算的情況下提供可靠存儲的選項。然而，對于當今的高級移動產品，用戶對延長電池壽命的持續期望極大地限制了能夠在不影響設計性能或功率預算的情況下提供可靠存儲的選項。本文介紹了 Cypress Semiconductor 的?本文介紹了 Cypress Semiconductor 的?ExcelonExcelon鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 系列，并展示了如何使用它來滿足電池供電設備的可靠長期存儲要求。鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 系列，并展示了如何使用它來滿足電池供電設備的可靠長期存儲要求。便攜式設備的存儲挑戰便攜式設備的存儲挑戰在可穿戴設備、物聯網設備和其他便攜式產品的設計中，隨著這些產品功能的增加，對大型非易失性存儲的需求直接增加。用戶對更全面信息的渴望推動了在這些設計中集成更多類型的傳感器，這些傳感器以更高分辨率和更快的更新速率運行。同時，用戶希望這些復雜的產品能夠提供歷史數據和趨勢的廣泛視圖，而不是當前傳感器數據的簡單快照。特別是，設備必須能夠在不主動連接到云、智能手機或其他外部設備的情況下按需生成此數據目錄。在可穿戴設備、物聯網設備和其他便攜式產品的設計中，隨著這些產品功能的增加，對大型非易失性存儲的需求直接增加。用戶對更全面信息的渴望推動了在這些設計中集成更多類型的傳感器，這些傳感器以更高分辨率和更快的更新速率運行。同時，用戶希望這些復雜的產品能夠提供歷史數據和趨勢的廣泛視圖，而不是當前傳感器數據的簡單快照。特別是，設備必須能夠在不主動連接到云、智能手機或其他外部設備的情況下按需生成此數據目錄。試圖使用傳統 NVM 技術滿足這些基本要求的設計人員面臨著多重困難，尤其是在功率受限設計中。許多 NVM 技術的寫入時間本質上比 RAM 慢得多，因為需要延長周期來完成編程過程。傳統的 EEPROM 可以顯示幾毫秒的寫入時間。即使在高級閃存中，性能也會因寫入周期所需的額外“浸泡時間”而降低。反過來，更長的寫入周期意味著整體電流消耗增加，同時數據更新率降低。最后，傳統的 NVM 設備通常具有有限的寫入耐久性規格。如果與常規數據存儲所需的重復寫入周期一起使用，設備可能會在產品的使用壽命內磨損。試圖使用傳統 NVM 技術滿足這些基本要求的設計人員面臨著多重困難，尤其是在功率受限設計中。許多 NVM 技術的寫入時間本質上比 RAM 慢得多，因為需要延長周期來完成編程過程。傳統的 EEPROM 可以顯示幾毫秒的寫入時間。即使在高級閃存中，性能也會因寫入周期所需的額外“浸泡時間”而降低。反過來，更長的寫入周期意味著整體電流消耗增加，同時數據更新率降低。最后，傳統的 NVM 設備通常具有有限的寫入耐久性規格。如果與常規數據存儲所需的重復寫入周期一起使用，設備可能會在產品的使用壽命內磨損。對于越來越多的電池供電設計，F-RAM NVM 設備提供了一種更簡單的長期存儲解決方案，可提供所需的速度、耐用性和低功耗組合。典型的 F-RAM 器件具有比 EEPROM 和閃存好幾個數量級的寫入耐久性和寫入周期時間，速度甚至接近靜態 RAM (SRAM)。實際上，F-RAM 結合了傳統 RAM 的性能優勢和其他 NVM 技術的非易失性存儲能力。在 F-RAM 解決方案中，Cypress Semiconductor 的對于越來越多的電池供電設計，F-RAM NVM 設備提供了一種更簡單的長期存儲解決方案，可提供所需的速度、耐用性和低功耗組合。典型的 F-RAM 器件具有比 EEPROM 和閃存好幾個數量級的寫入耐久性和寫入周期時間，速度甚至接近靜態 RAM (SRAM)。實際上，F-RAM 結合了傳統 RAM 的性能優勢和其他 NVM 技術的非易失性存儲能力。