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UltraCMOS技術(shù)應(yīng)對多頻手機(jī)中的天線設(shè)計(jì)有什么作用

2020-08-20 | pdf | 0.09 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

  現(xiàn)在手機(jī)中的射頻信號通道越來越擁擠。蜂窩電話已經(jīng)從雙頻向三頻甚至四頻快速發(fā)展。這些復(fù)雜手機(jī)還需要處理來自外圍無線設(shè)備的各種信號,如藍(lán)牙Wi-Fi和GPS。而隨著WiMAX和LTE4G)的加入,這種復(fù)雜度將越來越高。在移動(dòng)電話中,天線開關(guān)控制著天線接入所有這些無線信號,實(shí)質(zhì)上起著網(wǎng)守的作用。多頻手機(jī)設(shè)計(jì)面臨著很大的挑戰(zhàn),因?yàn)樗羞@些信號工作在不同的帶寬,而且它們都需要接入天線。為了取得最優(yōu)的性能和外形尺寸,它們最好能通過單個(gè)射頻開關(guān)接入天線。對開關(guān)制造商來說,這意味著從單刀四擲(SP4T)相應(yīng)發(fā)展到SP7T甚至 SP9T配置才能處理越來越多的信號。這種先進(jìn)的開關(guān)需要能夠處理由寬帶CDMAWCDMA)和低功率I/O無線設(shè)備帶來的額外移動(dòng)通信頻段的接入。可以預(yù)期的是,手機(jī)復(fù)雜性會(huì)越來越高,要求能夠處理更多頻段的信號。市場將至少標(biāo)準(zhǔn)化七個(gè)頻段,并且要留出一個(gè)空間給第八個(gè)頻段(LTE)使用。即使今后發(fā)生合并,射頻電路中由于合并留出的空間也會(huì)很快被越來越流行的、也需要接入天線的外圍無線電設(shè)備和功能所擠占。為了支持互聯(lián)網(wǎng)、多媒體和視頻,3G移動(dòng)手機(jī)市場已經(jīng)轉(zhuǎn)向WCDMA。相應(yīng)的GSM也演變成GSM/WCDMA雙模技術(shù)。為了滿足全球需求,目前的GSM手機(jī)最多有4個(gè)發(fā)送(Tx)和4個(gè)接收(Rx)通道。增加WCDMA后每個(gè)新的頻段都要增加另外一個(gè)Tx/Rx 通道。目前的移動(dòng)手機(jī)設(shè)計(jì)傾向于采用4xGSM(850、900、1800、1900MHz)和3xWCDMA(850、1900、2100MHz)前端。因此,手機(jī)復(fù)雜度已經(jīng)達(dá)到空前的水平。多頻手機(jī)中的任何設(shè)計(jì)折中都要求滿足或超過所有標(biāo)準(zhǔn)提到的性能等級。一般情況下,多模多頻的移動(dòng)手機(jī)使用單個(gè)功放模塊來處理四頻GSM/EDGE信號。另一方面,每個(gè)WCDMA頻段需要使用它自己的獨(dú)立功放。因此,具有一個(gè)WCDMA頻段的四頻GSM手機(jī)至少需要一個(gè)單刀六擲(SP6T)開關(guān)來管理所有的信號通道。當(dāng)然,設(shè)計(jì)師也可以使用一個(gè)雙工器和兩個(gè)SP3T(流行的GaAs配置),但與使用單個(gè)SP6T開關(guān)相比這種方法將產(chǎn)生較高的插入損耗。射頻設(shè)計(jì)師需要特別關(guān)注插入損耗,因?yàn)樗苯佑绊懝Ψ诺墓β矢郊有剩≒AE)。GSM功放的最大飽和功率一般是3W,平均 PAE是55%。必需達(dá)到這個(gè)效率水平才能確保較長的電池使用時(shí)間,因?yàn)槭謾C(jī)總電流的一半用在功放上。鑒于此,設(shè)計(jì)師需要將保持功放的PAE定在最高優(yōu)先等級。一些早期的多頻WCDMA/GSM手機(jī)使用獨(dú)立的WCDMA和GSM信號鏈,并采用獨(dú)立的天線和無線設(shè)計(jì)。盡管這種方案在原型和第一代設(shè)計(jì)中非常有效,但市場需要具有更高性價(jià)比且節(jié)省空間的方案。顯然,業(yè)界要求集成式ASM能夠處理7個(gè)甚至9個(gè)信號。圖1:IP3與器件的三階交調(diào)失真(IMD3)性能有關(guān)。針對這個(gè)需求,業(yè)界開發(fā)出了SP7T開關(guān)來支持具有1個(gè)WCDMA和4個(gè)GSM頻段的手機(jī)架構(gòu)。例如PE42672就是采用 UltraCMOS工藝技術(shù)開發(fā)的單片SP7T,它能提供+68dBm的三階交調(diào)截取點(diǎn)(IP3),這個(gè)線性度性能值可以滿足3GPP IMD3規(guī)范兼容的手機(jī)設(shè)計(jì)和高效的射頻前端要求。IP3與設(shè)備的三階交調(diào)失真(IMD3)性能相互關(guān)聯(lián),這些相位上的指標(biāo)如圖1所示。 SP6T開關(guān)是開關(guān)架構(gòu)方面的最新成果之一。經(jīng)過配置它可以處理多個(gè)頻段的WCDMA、GSM和外圍無線設(shè)備。例如圖2所示的開關(guān)可以處理三頻段的WCDMA,并提供到雙工器和3個(gè)功放模塊的通道(每個(gè)WCDMA頻段要求使用自己的功放和雙工器)。這個(gè)開關(guān)還能處理只有單個(gè)功放模塊與之相連的四頻GSM/EDGE(包含2個(gè)功放芯片)。從實(shí)際效果看,這個(gè)設(shè)備必須通過受簡單解碼器控制的單個(gè)開關(guān)傳送5個(gè)高功率信號。圖2:SP9T正在處理三頻段的WCDMA,它提供了到達(dá)雙工器和三個(gè)功放模塊的通道。隨著多頻段架構(gòu)的普及,對功放和相關(guān)濾波器的數(shù)量提出了嚴(yán)格的要求。事實(shí)上,對功放的技術(shù)要求沒有變化,但手機(jī)設(shè)計(jì)需要使用更多的功放。因此真正改變的是需要一個(gè)特別高效的方法將所有射頻信號傳送給天線-單片開關(guān)。手機(jī)中增加的頻段越多,對開關(guān)的技術(shù)要求就越高,而且WCDMA的線性度和諧波要求對器件性能也帶來了很大的壓力。通過利用UltraCMOS制造工藝的線性優(yōu)勢,圖2中的單片PE42693 SP6T可以保持其前代SP7T開關(guān)+68dBm的IP3,而且IMD3性能超過業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的-105dBm(圖1)。 SP6T功能可以用GaAs器件實(shí)現(xiàn),但它需要額外的器件,例如CMOS譯碼器和驅(qū)動(dòng)器,這將極大地影響所需I/O的數(shù)量。對要求高度線性和隔離的5個(gè)高功率端口來說挑戰(zhàn)尤其艱巨,因?yàn)镮/O數(shù)量越多,線的耦合和粘合的可能性就越大。圖3:UltraCMOS SP9T不需要片外ESD器件或線性度增強(qiáng)匹配器件。黃框代表譯碼器,藍(lán)框代表ESD,綠框代表電壓生成器。隨著多頻段手機(jī)越來越流行,對高集成度、小型天線開關(guān)的需求也越來越迫切。UltraCMOS SP7T開關(guān)現(xiàn)在已經(jīng)開始批量生產(chǎn),SP9T也在2007年底投入批量生產(chǎn)。在外形方面,GaAs SP7T為1.6x1.5mm,而采用SOS工藝SP7T開關(guān)只有 1.2x1.0mm,面積縮小了一半。目前的GaAs E/D pHemt或J-pHemt SP9T開關(guān)外形尺寸為1.9x1.5mm。與之相比,采用 UltraCMOS 0.5μm工藝制造的SP9T外形尺寸為1.7x1.1mm(圖3),它不需要片外ESD器件和性能增強(qiáng)匹配器件。UltraCMOS發(fā)展規(guī)劃預(yù)計(jì)0.25μm版本的SP9T尺寸將達(dá)到1.32x1.29mm。縮小尺寸的另外一種方式是將開關(guān)倒裝在結(jié)實(shí)的低溫共燒陶瓷(LTCC)基底上,無需占用以前線綁定所需的面積。目前晶圓級芯片尺寸封裝正在開發(fā)中,它所生產(chǎn)的UltraCMOS開關(guān)可以如同標(biāo)準(zhǔn)表貼封裝那樣處理。在使用UltraCMOS制造的開關(guān)后,設(shè)計(jì)師可以省去其它開關(guān)技術(shù)要用到的譯碼器、隔直電容和雙工器。配合芯片尺寸封裝技術(shù),這種工藝可以顯著減小ASM的尺寸和厚度。另外,其固有的ESD容差和單片CMOS接口可以簡化實(shí)現(xiàn)和使用。 UltraCMOS工藝的極高良品率和增加開關(guān)方向的靈活性可以使未來新一代的手機(jī)具有更高的集成度,能夠解決多頻段手機(jī)體積縮小所帶來的挑戰(zhàn)。

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