在實(shí)驗(yàn)科學(xué)中，新發(fā)現(xiàn)的（或重新發(fā)現(xiàn)的）合成技術(shù)在加速感興趣的領(lǐng)域中立即提供增強(qiáng)的性能和簡單性是一件罕見的事情。然而，1980年代末重新發(fā)現(xiàn)脈沖激光沉積（PLD）的情況就是如此。自從發(fā)現(xiàn)激光器_哈斯和拉姆齊，1969年；史密斯和特納，1965_以來，人們一直在探索使用脈沖激光作為蒸發(fā)膜生長的定向能源。初始活動(dòng)范圍有限，涉及連續(xù)波（CW）和脈沖激光。脈沖激光沉積技術(shù)的首次實(shí)驗(yàn)是在20世紀(jì)60年代進(jìn)行的，直到70年代和80年代，其努力有限。軸向高溫超導(dǎo)薄膜_Inam等人，1988。這些化合物需要多種具有不同蒸發(fā)性能的陽離子，這些陽離子必須在正確的化學(xué)計(jì)量比下輸送以實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)膜。同時(shí)，該材料是氧化物，在生長期間需要氧化環(huán)境。脈沖激光沉積具有許多特點(diǎn)，使其在復(fù)雜氧化物薄膜研究領(lǐng)域與其他薄膜生長技術(shù)相比具有顯著的競爭性。這些具有吸引力的主要特征是化學(xué)計(jì)量轉(zhuǎn)移、激發(fā)的氧化物種、以及初始設(shè)置和任意氧化物化合物研究中的簡單性。人們可以快速地研究幾乎任何氧化物化合物的薄膜沉積，而不管晶體化學(xué)的復(fù)雜性。脈沖激光沉積技術(shù)的顯著發(fā)展仍在繼續(xù)，在過去的15年中，PLD已經(jīng)從學(xué)術(shù)上的好奇發(fā)展成為廣泛用于薄膜沉積研究的技術(shù).Saenger， 1993; Kaczmarek， 1997; Willmott and Huber， 2000; Dubowski， 1988; Diele今天，PLD被用于絕緣體、半導(dǎo)體、金屬、聚合物甚至生物材料的沉積。很少有材料合成技術(shù)在研究和應(yīng)用場所得到如此迅速和廣泛的滲透。