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本文通過VLSI與超純硅材料關(guān)系的論迷，闡明了我國VISI的發(fā)展急需解決高質(zhì)量的
超純硅材料。提高大直經(jīng)硅片的平行度;氧、筱含童穩(wěn)定、均勻、可拉;提高徽區(qū)電阻率均勻性;硅
表面潔凈、具有密封、屏蔽的的防靜電包裝技術(shù)是當(dāng)今硅材料發(fā)展的主攻課題。超純硅材料的完
美結(jié)晶特性和超精度的加工技術(shù)水平取決于基礎(chǔ)材料（化學(xué)試荊、高純氣體、）的高純度、小穎粗
和低雜質(zhì)含責(zé)的控制
徽電子技術(shù)是人類先進(jìn)科學(xué)和技術(shù)的集成，是人類知識和技術(shù)的結(jié)晶。高可靠的Ic又是現(xiàn)代電子整機(jī)系統(tǒng)的荃礎(chǔ)。Ic質(zhì)量的好壞，直接影響著整機(jī)系統(tǒng)的使用壽命。在高科技含時量的空間領(lǐng)域內(nèi)，一塊Ic不僅受到宇宙線的輻射，而且又可能時受到核能的襲擊。因此，研究高可靠、長壽命、細(xì)線條的VLSI，當(dāng)前我國急需解決基礎(chǔ)材料方面的的干問題;抗輻射加固器件所用的高純硅材料更受到人們的關(guān)注。VISI所用的各種電子材料必需是高純度pp，級（-10-‘）、小顆粒、低雜質(zhì)含
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