框架可以降低功率和MCU系統(tǒng)提高性能

　　設(shè)計師與微控制器（MCU）工作都嚴(yán)重依賴于代碼存儲閃存芯片制造商因?yàn)橐?guī)模制造工藝的非易失性存儲器和單片機(jī)芯片產(chǎn)生相當(dāng)大的閃存陣列。不過，F(xiàn)lash是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠完善，和其他非易失性存儲器類型如鐵電存儲器（FRAM）提供閃存包括低功率運(yùn)行的優(yōu)點(diǎn)，如每比特DRAM的訪問，和更快的訪問時間。雖然FRAM成本較高和能力不匹配的閃光，你不妨考慮FRAM技術(shù)在低功耗和高性能是關(guān)鍵的設(shè)計考慮。

　　首先讓我們簡要回顧一下如何FRAM的作品。FRAM存儲單元的構(gòu)造類似于DRAM在使用一個電容和一個晶體管的每個比特。然而，F(xiàn)RAM的細(xì)胞需要一個鐵電材料，基本上存儲一個極性狀態(tài)，不需要刷新或權(quán)力維護(hù)內(nèi)容。到目前為止，半導(dǎo)體制造商一直無法規(guī)模框架的水平在幾個原因DRAM和Flash實(shí)現(xiàn)。鐵電材料是一種在半導(dǎo)體制造過程中可能存在問題的材料。隨著材料尺寸的減小，這種材料失去了鐵電性能，因?yàn)檩^小的單元特征尺寸對更高的密度有重要意義。

　　Since we started with the downside， you may be asking why bother with FRAM？ The answer is that outside of the manufacturing issue， FRAM is better than flash in virtually every measure. Flash requires high voltage for the write process. That voltage impacts the power consumption attributable to the memory， and also results in a long write cycle. FRAM supports DRAM-like access time and low power， and is not constrained by a limited number of rewrite cycles.