?　引言
　　在采用TI數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）的嵌放式硬件系統(tǒng)開發(fā)完成，軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測(cè)試通過后，怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件（.Out），經(jīng)過轉(zhuǎn)換后的十六進(jìn)制文件（.Hex）寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲(chǔ)器中，讓系統(tǒng)脫機(jī)運(yùn)行，這是許多DSP開發(fā)人員及初學(xué)者遇到并需要解決的問題。
　　從JTAG接口對(duì)DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例，介紹“在線仿真狀態(tài)下”對(duì)Flash的編程。
　　1 Flash存儲(chǔ)器的擦除
　　Flash編程之前，應(yīng)對(duì)Flash進(jìn)行擦除，使其每個(gè)數(shù)據(jù)位都恢復(fù)為1狀態(tài)，即全FF狀態(tài)。對(duì)Flash的擦除操作需要6個(gè)總線周期，總線時(shí)序如圖1。
　　
　　從圖1可知，各總線周期的操作為：
　　第一總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H；
　　第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H；
　　第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)80H；
　　第四總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH；
　　第五總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H；
　　第六總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)10H。
　　完成上述操作后，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器被完全擦除，內(nèi)部數(shù)據(jù)恢復(fù)為初始狀態(tài)，全為FFH。
　　在TMS320C6711中，用C語(yǔ)言完成上述操作為：
　　void erase_flash（）
　　{
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR1=0x00aa;
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR2=0x0055;
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR1=0x0080;
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR1=0x00aa;
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR2=0x0055；
　　*（unsigned volatile char*）FLASH_ADR1=0x0010；
　　}
　　在TMS320C6711系統(tǒng)中，F(xiàn)lash所在地址段為CE1空間，其開始地址為0x90000000。這樣，其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為：
　　#define FLASH_ADR1 0x90005555
　　#define FLASH_ADR2 0x90002AAA
　　需要說(shuō)明的是，在對(duì)Flash進(jìn)行擦除時(shí)，應(yīng)對(duì)DSP及EMIF外存儲(chǔ)器接口進(jìn)行初始化，CE1空間定義為8位讀寫模式。
　　初始化函數(shù)如下：
　　void c6x11_dsk_init（）{ /*DSP和EMIF初始化*/
　　CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/
　　IER=1； /*禁止除NMI外的所有中斷*/
　　ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/
　　*（unsigned volatile int *）EMIF_GCR=0x3300;
　　*（unsigned volatile int *）EMIF_CE0=0x30;
　　*（unsigned volatile int*）EMIF_CE1=0xffffff03;
　　*（unsigned volatile int*）EMIF_SDCTRL=0x07227000;
　　*（unsigned volatile int*）EMIF_SDRP=0x61a;
　　*（unsigned volatile int*）EMIF_SDEXT=0x54529;
　　}
　　2 Flash存儲(chǔ)器的編程
　　對(duì)Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行字節(jié)編程之前，需要對(duì)它進(jìn)行3個(gè)周期的編程指令操作，總線時(shí)序如圖2。
　　
　　從圖2可知，各總線周期的操作如下：
　　第一總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH；
　　第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H；
　　第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)A0H；
　　第四總線周期——向地址的存儲(chǔ)單元寫入編程數(shù)據(jù)；
　　……
　　在TMS320C6711中，用C語(yǔ)言完成上述操作為：
　　/*---------------------------------------------------------------------*/
　　/*入口參數(shù)：pattern［］：數(shù)組，用于存儲(chǔ)編程數(shù)據(jù)*/
　　*/ start_address：所要編程的起始地址指針*/
　　/* page_size：所要編程的Flash的頁(yè)面尺寸*/
　　/*出口參數(shù)：無(wú)*/
　　/*---------------------------------------------------------------------*/
　　void flash_page_prog（unsigned char pattern［］，unsigned volatile char *start_address，int page_size）{
　　volatile int i;
　　unsigned volatile char *flash_ptr=start_address;
　　*（unsigned volatile char *）FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
　　*（unsigned volatile char *）FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
　　*（unsigned volatile char *）FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
　　for（i=0;i《page_size;i++）
　　*flash_ptr++=pattern;
　　}
　　其中，F(xiàn)LASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定義如下：
　　#define FLASH_KEY1 0xAA
　　#define FLASH_KEY2 0x55
　　#define FLASH_KEY3 0xA0
　　3 校驗(yàn)和的計(jì)算與編程原理
　　（1）校驗(yàn)和的計(jì)算
　　在程序中，應(yīng)對(duì)Flash編程的正確性進(jìn)行自動(dòng)檢查，把編程前數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和編程后Flash中讀出數(shù)據(jù)的校驗(yàn)和進(jìn)行比較：如果相同，則編程成功；如果不相同，則編程失敗。需要注意的是，在對(duì)Flash進(jìn)行編程的過程中，不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的編程數(shù)據(jù)，這樣會(huì)導(dǎo)致一會(huì)地址編程的失敗。
　　其C語(yǔ)言程序如下：
　　/*----------------------------------------------------------------------*/
　　/*入口參數(shù)：start_address：所要校驗(yàn)的起始地址*/
　　/* size_in_byte：所要校驗(yàn)的Flash數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)*/
　　/*出口參數(shù)：lchecksum：校驗(yàn)和 */
　　/*----------------------------------------------------------------------*/
　　int flash_checksum（int start_address，int size_in_byte）{
　　int i;
　　int lchecksum;
　　unsigned volatile char*flash_ptr=（unsigned volatile char*）
　　start_address;
　　int temp;
　　i=0;
　　lchecksum=0;
　　while（i《size_in_byte-4）{
　　temp=*flash_ptr++;
　　temp&=0xff;
　　lchecksum=lchecksum+temp;
　　i++;
　　}
　　return lchecksum;
　　}