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熔絲型PROM的存儲(chǔ)單元
熔絲型PROM的存儲(chǔ)單元
- PROM(48362)
- 簡(jiǎn)單PLD(33047)
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垂直環(huán)繞柵晶體管可縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元！
個(gè)名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元。 Spin Memory將設(shè)備稱為通用選擇器（Universal
2020-09-04 16:10:132090
2090根據(jù)數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲(chǔ)單元有幾種
按照數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲(chǔ)單元分為兩種：靜態(tài)存儲(chǔ)單元一靜態(tài)RAM（SRAM）;動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）。 1.靜態(tài)存儲(chǔ)單元（SRAM）：它由電源來(lái)維持信息，如觸發(fā)器，寄存器
2020-12-02 14:31:302182
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計(jì)算機(jī)信息存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)解析
數(shù)據(jù)必須首先在計(jì)算機(jī)內(nèi)被表示，然后才能被計(jì)算機(jī)處理。計(jì)算機(jī)表示數(shù)據(jù)的部件主要是存儲(chǔ)設(shè)備；而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的具體單位是存儲(chǔ)單元；因此，了解存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269
2269便攜式電子系統(tǒng)中甲乙類存儲(chǔ)單元的應(yīng)用及設(shè)計(jì)方案
采用HSPICE分別對(duì)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元、延遲單元和積分器電路進(jìn)行了仿真，晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V；輸入電流iin=40μA，信號(hào)頻率fin=100 kHz
2021-02-18 10:06:391450
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淺談閃速存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)單元連接方式
閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)又稱閃存(Flash)，是一種非易失性存儲(chǔ)器,用存儲(chǔ)單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場(chǎng)效應(yīng)管(見(jiàn)圖5-80)是Flash存儲(chǔ)單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論