**IRFR3910TRPBF-VB**

**絲印：** VBE1101M  
**品牌：** VBsemi  
**參數：** TO252；N—Channel溝道, 100V；18A；RDS(ON)=115mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=1.6V  

**封裝：** TO252  

**詳細參數說明：**  
- **溝道類型：** N—Channel  
- **最大承受電壓：** 100V  
- **最大電流：** 18A  
- **導通電阻：** 115mΩ（在VGS=10V時），115mΩ（在VGS=20V時）  
- **閾值電壓：** 1.6V  

**應用簡介：**  
該器件為 N—Channel MOSFET，適用于需要控制正向電流的高電壓高電流應用，如電源開關和電機驅動。

**作用：**  
- 控制正向電流，適用于需要 N—Channel 溝道的高電壓高電流模塊。
- 在電源開關和電機驅動等領域中發揮關鍵作用。

**使用領域模塊：**
1. **電源開關模塊：** 用于構建可靠的正向電流開關電路，確保電源系統正常運行。
2. **電機驅動模塊：** 適用于需要高電壓高電流控制的電機驅動系統。

**使用注意事項：**
1. **電壓和電流限制：** 不要超過規定的最大電壓和電流。
2. **溫度控制：** 注意器件工作時的溫度，避免過熱。
3. **閾值電壓選擇：** 根據應用需求選擇適當的閾值電壓。

如有需要進一步了解或有其他問題，請告訴我。