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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FDC6321C-VB一款2個N+P溝道SOT23-6封裝MOSFET應用分析

型號: FDC6321C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 2個N+P溝道
  • 封裝 SOT23-6封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**詳細參數說明:**
- 產品型號: FDC6321C-VB
- 絲印: VB5222
- 品牌: VBsemi
- 封裝: SOT23-6
- 溝道類型: 2個N+P—Channel
- 額定電壓: ±20V
- 最大電流: 7A (N-Channel) / -4.5A (P-Channel)
- 開啟電阻: RDS(ON) = 20mΩ (N-Channel) / 70mΩ (P-Channel) @ VGS=4.5V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 0.71V (N-Channel) / -0.81V (P-Channel)

**應用簡介:**
該器件適用于需要N+P—Channel溝道的應用,具有雙溝道設計,適合電流和電壓要求較高的場合。主要應用于電源管理、電機驅動和功率放大器等領域。

**主要應用領域模塊:**
1. 電源管理模塊
2. 電機驅動模塊
3. 功率放大器模塊

**作用:**
- 電源管理模塊:實現高效的電源開關控制,適用于雙溝道應用。
- 電機驅動模塊:同時控制電機的正向和反向運動,適用于雙電源控制。
- 功率放大器模塊:提供雙溝道的功率放大,適用于立體聲音頻放大等應用。

**使用注意事項:**
1. 請確保在規定的電壓范圍內操作。
2. 避免超過最大電流限制。
3. 在設計中考慮散熱,以確保器件正常工作溫度。
4. 遵循廠商提供的應用電路設計建議。
5. 注意防靜電措施,以防止損壞器件。

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