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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SJ360-VB場效應管一款P溝道SOT89-3封裝的晶體管

型號: 2SJ360-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOT89-3封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:2SJ360-VB

絲?。篤BI2658

品牌:VBsemi

封裝:SOT89-3

**詳細參數說明:**
- **溝道類型(Channel Type):** P—Channel
- **最大漏電流(Maximum Drain Current):** -5A
- **最大漏電壓(Maximum Drain-Source Voltage):** -60V
- **導通電阻(On-Resistance):** RDS(ON)=58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓(Gate Threshold Voltage):** Vth=1~3V

**應用簡介:**
2SJ360-VB是一款P—Channel溝道場效應晶體管,具有低漏電流、高漏電壓、低導通電阻等優異特性。其封裝采用SOT89-3標準封裝,適用于各種電子應用。

**主要應用領域模塊:**
1. **功率放大器模塊:** 由于2SJ360-VB具有較高的漏電壓和低導通電阻,適用于功率放大器模塊,能夠提供可靠的功率放大功能。

2. **電源管理模塊:** 該器件的P—Channel特性使其在電源管理模塊中表現出色,特別是在負載開關和電源開關應用中。

3. **電流控制模塊:** 由于其較高的漏電流和低導通電阻,可用于電流控制模塊,確保在電路中實現精準的電流控制。

4. **低噪聲放大器模塊:** 2SJ360-VB的優異性能使其在低噪聲放大器模塊中具有潛在的應用,特別是在要求高信噪比的場合。

請注意,具體的應用取決于系統設計的需求,確保根據電路設計和規格要求選擇合適的元件。

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