型號: 5N60-TO220F-VB

絲印: VBMB165R04

品牌: VBsemi

參數:
- 封裝類型: TO220F
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 650V
- 最大電流: 4A
- 開態電阻: RDS(ON) = 2560mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 3.8V

封裝: TO220F

**詳細參數說明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** TO220F，表明該器件使用TO220F封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** N-Channel，指示這是一個N溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** 650V，說明器件能夠正常工作的最大電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** 4A，表示器件能夠承受的最大電流。
5. **開態電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 2560mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，說明在特定的柵源電壓下，開態時的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = 3.8V，表示在柵源電壓作用下，器件從關態切換到開態所需的電壓。

**應用簡介:**
5N60-TO220F-VB是一款高壓N-Channel MOSFET，適用于多種應用領域，包括但不限于：
1. **電源開關:** 由于其高電壓和N溝道性質，可用于高壓電源開關和電源逆變器。
2. **電源逆變器:** 用于高壓太陽能逆變器和其他高壓電源逆變器，提供高效的能量轉換。
3. **電源管理模塊:** 適用于需要高電壓的電源管理應用，如開關電源、電池管理等。
4. **照明系統:** 用于驅動高壓LED和其他照明設備。

請注意，在具體設計中應仔細參考該器件的數據手冊以及應用手冊，以確保正確的使用和性能。