型號：AO6800-VB
絲印：VB3222
品牌：VBsemi
參數：
- 封裝類型：SOT23-6
- 溝道類型：N—Channel（兩個溝道）
- 最大漏電壓（Vds）：20V
- 最大漏極電流（Id）：4.8A
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：22mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓（Vth）：1.2~2.2V

封裝：SOT23-6

應用簡介：
AO6800-VB是一款雙N-Channel溝道MOSFET，適用于多種電路和模塊設計，特別是在需要高性能N-Channel MOSFET的應用中。

領域模塊應用：
1. **電源模塊：** 適用于開關電源、電源逆變器等模塊設計，能夠提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。

2. **電機驅動模塊：** 由于其高電流和低漏電壓特性，可用于電機驅動和控制模塊，提供可靠的電流輸出和驅動性能。

3. **LED照明模塊：** 在LED驅動電路中，AO6800-VB可以用于開關電源設計，以實現高效的LED照明系統。

4. **電池保護模塊：** 用于電池充放電管理電路，提供高效的電池管理和保護功能。

5. **低功耗設備：** 由于其低閾值電壓和低漏電流特性，適用于對功耗要求較高的設備，如便攜式電子設備、傳感器節點等。

請注意，以上是一些典型的應用場景，實際使用時需根據具體電路和系統要求進行選擇和設計。在集成AO6800-VB時，建議仔細閱讀其數據手冊以獲取詳細的電特性和操作信息。