型號：FDD6680-NL-VB
絲印：VBE1310
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：30V
- 最大持續(xù)電流：70A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：7mΩ @ 10V, 9mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：1.8V
- 封裝：TO252

詳細(xì)參數(shù)說明：
FDD6680-NL-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有 30V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為 70A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好，分別為 7mΩ @ 10V 和 9mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為 1.8V。

應(yīng)用簡介：
FDD6680-NL-VB 通常用于高電流和高功率的電路應(yīng)用，特別適用于電源開關(guān)、電機控制、電源轉(zhuǎn)換器、電源逆變器和其他需要高性能 MOSFET 的領(lǐng)域的模塊。TO252 封裝使其易于集成到各種應(yīng)用中，如電源管理、電動工具、汽車電子、電源放大器和工業(yè)控制。這種型號的 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力，可提供卓越的性能和高效率，適用于需要高功率開關(guān)的應(yīng)用。