型號：2SJ485-VB
絲印：VBE2610N
品牌：VBsemi
參數說明：
- 溝道類型：P溝道
- 額定電壓：-60V
- 最大電流：-38A
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V, 72mΩ@4.5V
- 門源極電壓（±Vgs）：20V
- 門源極閾值電壓（Vth）：-1.3V
- 封裝類型：TO252
應用簡介：
2SJ485-VB是一款P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），具有高電壓承受能力和高電流承受能力，低漏極-源極電阻以及穩定的門源極閾值電壓。這些特性使其在多種電子領域的模塊中有廣泛的應用。
應用領域：
1. 電源模塊：2SJ485-VB可用于中至高功率的電源開關模塊，以提供電能轉換和電壓調節功能。適用于各種電子設備、通信設備和工業設備。
2. 電機控制：在電機控制模塊中，它可以用于電機驅動和電流控制，適用于電動汽車、機器人和工業自動化。
3. 電源逆變器：它還可以用于逆變器電路，將直流電源轉換為交流電源，適用于太陽能逆變器、電動汽車逆變器和UPS系統。
4. 高電流開關：2SJ485-VB可用于高電流開關模塊，如電源分配、電流保護和開關控制。
總之，2SJ485-VB是一種高性能P溝道MOSFET，適用于多個領域的電子模塊，提供電源管理、電流控制、信號放大和逆變功能。
