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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LR120N-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: LR120N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

根據提供的型號和參數,以下是對該 MOSFET 型號 LR120N-VB 的詳細參數和應用簡介:

**型號:** LR120N-VB

**絲印:** VBE1101M

**品牌:** VBsemi

**參數:**
- 溝道類型:N溝道
- 額定電壓:100V
- 最大電流:18A
- 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON)):115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
- 門源電壓閾值 (Vth):1.6V
- 標準門源電壓 (±V):20V
- 封裝:TO252

**產品應用簡介:**
LR120N-VB 是一款 N 溝道的 MOSFET,具有較高的額定電壓、大電流承受能力和適度的漏極-源極電阻,適合用于各種電子設備和模塊的功率開關和放大器應用。這款 MOSFET 的性能參數使其適用于多種領域。

**產品應用領域:**
1. **電源管理模塊:** 該型號的 MOSFET 可用于電源管理模塊,如電源開關,以便有效地控制電流,提高功效,降低功耗。

2. **電機驅動:** 可以用于電機驅動電路,例如直流電機和步進電機,以提供高效的電機控制和功率放大。

3. **電源開關:** 在電源開關應用中,用于切換電源連接,如在電源管理單元中。

4. **電池保護:** 用于電池保護電路,以控制電池的充電和放電,確保電池的安全和性能。

5. **逆變器和電源逆變器:** 適用于逆變器電路,用于將直流電源轉換為交流電源,通常用于太陽能逆變器和電源逆變器。

總之,LR120N-VB MOSFET 在多個領域中都有廣泛的應用,用于功率控制、電流開關和信號放大等用途。由于其性能參數,它在電子模塊和設備中起到關鍵作用。

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