--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
型號:MMSF7P03HDR2G-VB
絲印:VBA2333
品牌:VBsemi
參數(shù)說明:
- **P溝道:** 該器件是一種P溝道MOSFET,電流在P溝道中流動,通常用于不同類型的應用,如電源開關等。
- **工作電壓(VDS):** -30V,表示MOSFET的耐壓上限,負值表示器件是P溝道。
- **持續(xù)電流(ID):** -6A,表示MOSFET可以承受的最大電流。負值表示電流方向與N溝道MOSFET相反。
- **導通電阻(RDS(ON)):** 40mΩ @ 10V,54mΩ @ 4.5V,20Vgs(±V),表示MOSFET在導通狀態(tài)時的電阻,這兩個值分別對應不同的柵極電壓。
- **閾值電壓(Vth):** -1.5V,表示MOSFET進入導通狀態(tài)所需的柵極電壓。負值表示電壓極性相反。
- **封裝:** SOP8,這是MOSFET的封裝類型。

應用簡介:
P溝道MOSFET通常用于多種功率電子應用,包括但不限于:
1. **電源開關:** 用于電源開關應用,如開關模式電源供應器和電源管理單元,以控制電流和電壓。
2. **電池保護:** 用于電池保護電路,以防止電池充電或放電時的電流過大。
3. **電源逆變器:** 用于逆變器應用,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,通常在太陽能逆變器和UPS系統(tǒng)中使用。
4. **電機驅(qū)動:** 用于電機控制應用,包括電機驅(qū)動器和電動車輛控制。
5. **LED驅(qū)動器:** 用于LED照明應用,以實現(xiàn)高效的LED燈光控制。
這種P溝道MOSFET適用于需要P溝道器件的電子電路,它能夠提供可靠的電流控制和開關性能,通常用于功率電子領域以提高效率和性能。
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