型號: 2SJ356-VB
絲印: VBI2658
品牌: VBsemi
參數(shù):
- 溝道類型: P溝道
- 額定電壓: -60V
- 最大電流: -5A
- 靜態(tài)導通電阻 (RDS(ON)): 58mΩ @ 10V
- 靜態(tài)導通電阻 (RDS(ON)): 70mΩ @ 4.5V
- 門源電壓 (Vgs): ±20V
- 閾值電壓 (Vth): 1V 至 3V
- 封裝: SOT89-3

應用簡介:
2SJ356-VB是一種P溝道場效應晶體管 (FET)，適用于多種電子設(shè)備和應用領(lǐng)域，具有以下主要應用：

1. **低功耗開關(guān)：** 2SJ356-VB適用于低功耗開關(guān)應用，例如電源管理模塊中的低功耗開關(guān)和電源切換。

2. **電源分配：** 可以用于電源分配單元，幫助控制電路中的電流流動，以實現(xiàn)電源的有效管理。

3. **電池保護：** 在電池保護電路中，2SJ356-VB可用于電池充電和放電的控制，確保電池的安全運行。

4. **信號開關(guān)：** 可以用于信號開關(guān)應用，如模擬信號切換和信號放大器的輸入開關(guān)。

5. **低功耗電子設(shè)備：** 由于其低靜態(tài)導通電阻和低功耗，適用于需要節(jié)能的低功耗電子設(shè)備。

2SJ356-VB的特點使其成為用于低功耗開關(guān)和電源管理的理想元件。它在低電流和低功耗應用中表現(xiàn)出色，可用于多種便攜式和低功耗設(shè)備，如手機、平板電腦、傳感器和便攜式電子設(shè)備。