型號：2N7002ET1G-VB
絲印：VB162K
品牌：VBsemi
參數：
- 溝道類型：N溝道
- 最大耐壓：60V
- 最大持續電流：0.3A
- 開通電阻（RDS(ON)）：2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs
- 閾值電壓（Vth）：1.6V
- 封裝類型：SOT23
應用簡介：
2N7002ET1G-VB是一款小功率N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），適用于低功率電子應用。以下是它的一些主要應用領域：
1. 信號開關：這款MOSFET可以用于信號開關電路，例如在通信設備、音頻放大器和控制電路中，用于控制和管理信號通路。
2. 電源開關：在低功率電源管理模塊中，2N7002ET1G-VB可以用于電源開關，用于控制電路的通斷狀態，以提供電源管理功能。
3. 電路保護：它還可用于電路保護，例如在過電流保護和過溫度保護電路中，用于確保電路的安全性和穩定性。
4. 邏輯電平轉換：由于其低閾值電壓，這款MOSFET可以用于邏輯電平轉換，將不同電平的信號轉換為兼容的電平，例如在微控制器和數字電路中。
總之，2N7002ET1G-VB是一款適用于低功率電子應用的N溝道MOSFET，特別適用于信號開關、電源開關、電路保護和邏輯電平轉換等領域。它的低電流和低電壓特性使其成為小型電子設備中的常見元件。
