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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SJ355-VB-SOT89-3封裝P溝道MOSFET

型號: 2SJ355-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 類型 P溝道
  • 額定電壓 -30V
  • 最大持續電流 -5.8A
  • 導通電阻 50mΩ @ 10V
  • 門源電壓范圍 20V(正負)
  • 閾值電壓范圍 -0.6~-2V
  • 封裝 SOT89-3

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號  2SJ355-VB
絲印  VBI2338
品牌  VBsemi
參數  
 類型  P溝道
 額定電壓(Vds)  -30V
 最大持續電流(Id)  -5.8A
 導通電阻(RDS(ON))  50mΩ @ 10V
 門源電壓范圍(Vgs)  20V(正負)
 閾值電壓范圍(Vth)  -0.6~-2V
 封裝  SOT89-3

應用簡介  
2SJ355-VB是一款P溝道場效應晶體管(MOSFET),適用于需要負向電壓操作的電子應用。它在電流開關和電壓逆變器等領域具有廣泛的應用。

詳細參數說明  
1.  類型   這是一款P溝道MOSFET,意味著它在輸入負向電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于需要負向電壓操作的電路中。

2.  額定電壓(Vds)   它可以承受的最大漏極-源極電壓為-30V。這表示它可以在負向電壓條件下工作。

3.  最大持續電流(Id)   這款MOSFET的最大電流承受能力為-5.8A。負號表示電流流向是從源到漏極。

4.  導通電阻(RDS(ON))   RDS(ON)是導通狀態下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為50mΩ,表示在導通狀態下的功耗相對較低。

5.  門源電壓范圍(Vgs)   MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態。

6.  閾值電壓范圍(Vth)   這款MOSFET的閾值電壓范圍為-0.6~-2V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓范圍。

7.  封裝   這款MOSFET采用SOT89-3封裝,這是一種小型封裝,適用于小型電路板和空間受限的應用。

應用領域  
2SJ355-VB這款P溝道MOSFET適用于多種需要負向電壓操作的電子模塊和設備,包括但不限于以下領域模塊  

1.  電源開關   可用于負向電壓電源開關,如電壓轉換和電源控制。

2.  電壓逆變器   用于逆變器電路,將直流電轉換為交流電,如太陽能逆變器和電力逆變器。

3.  電池保護   可用于電池保護電路,以確保電池不過充電或過放電。

4.  負載開關   用于控制負載的通斷,如LED照明系統、電動工具和電子設備。

5.  電源管理   在需要負向電壓電源管理和電流控制的應用中使用,以確保高效的電源供應。

總之,這款P溝道MOSFET適用于需要負向電壓操作的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在需要負向電壓操作的應用中。

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