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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NTD20N06LT4G-VB-TO252封裝 N溝道MOSFET

型號: NTD20N06LT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道類型 N溝道
  • 額定電壓 60V
  • 額定電流 45A
  • 導通電阻 24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V
  • 硅極電壓 20Vgs (±V)
  • 門槽電壓 1.8Vth(V)
  • 封裝類型 TO252

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號   NTD20N06LT4G-VB
絲印   VBE1638
品牌   VBsemi
參數  
 溝道類型  N溝道
 額定電壓  60V
 額定電流  45A
 導通電阻  24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V
 硅極電壓  20Vgs (±V)
 門槽電壓  1.8Vth(V)
 封裝類型  TO252

詳細參數說明  
NTD20N06LT4G-VB是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),其絲印為VBE1638,由VBsemi公司生產。該器件具有以下主要參數  
1. 高額定電壓(60V)和大額定電流(45A),適合處理高功率電路;
2. 導通電阻低,具有優秀的導通性能(24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V),可以降低功率損耗;
3. 20V的硅極電壓(20Vgs),以及1.8V的門槽電壓(1.8Vth(V)),提供靈活的驅動和控制能力;
4. 封裝為TO252,易于焊接和安裝。

應用簡介  
NTD20N06LT4G-VB MOSFET通常用于以下領域模塊  
 電源模塊  由于其高額定電壓和大額定電流,可廣泛應用于電源模塊中,用于穩定和分配電流;
 電機驅動  該器件的低導通電阻和高功率特性,使其成為電機驅動模塊的理想選擇,可以提供高效率和高輸出功率;
 電子設備  由于其靈活的驅動和控制能力,NTD20N06LT4G-VB可以用于各種電子設備,如開關電源、逆變器、光伏發電系統等。

總之,NTD20N06LT4G-VB-VBE1638是一款具有高額定電壓和大額定電流的N溝道MOSFET器件,適用于各種需要高功率性能和靈活控制的模塊

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