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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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CMD12N10-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

型號: CMD12N10-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 頻道類型 N溝道
  • 額定電壓 100V
  • 額定電流 18A
  • RDS(ON) 115mΩ @ 10V,121mΩ @ 4.5V
  • 門源電壓范圍 ±20V
  • 門源閾值電壓 1.6V
  • 封裝類型 TO252

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號 CMD12N10絲印 VBE1101M品牌 VBsemi參數  頻道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 18A RDS(ON) 115mΩ @ 10V,121mΩ @ 4.5V 門源電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1.6V 封裝類型 TO252應用簡介 CMD12N10(絲印 VBE1101M)是VBsemi公司生產的一款N溝道功率MOSFET。以下是詳細的參數說明和應用簡介 詳細參數說明 CMD12N10是一款N溝道功率MOSFET,具有高電壓和電流承載能力。主要參數包括額定電壓為100V,額定電流為18A,RDS(ON)為115mΩ @ 10V,121mΩ @ 4.5V,門源電壓范圍為±20V,門源閾值電壓為1.6V,封裝類型為TO252。應用領域 CMD12N10(VBE1101M)適用于多種領域和應用場景,主要用于需要N溝道功率MOSFET的高電壓和大電流承載能力的電路。以下是一些典型的應用領域 1. 電源管理模塊 CMD12N10可用于電源管理模塊中,提供高效的電能轉換和穩定的電流輸出,改善系統的功耗和效率。2. 電機驅動 它可應用于電機驅動電路中,提供高功率和高效能的電力輸出,適用于工業自動化和機械設備中的電機驅動。3. 汽車電子系統 CMD12N10適用于汽車電子系統中的電源管理、電機驅動和照明控制等方面,滿足汽車電子系統對高電壓和高功率的要求。綜上所述,CMD12N10(VBE1101M)是一款N溝道功率MOSFET,適用于電源管理模塊、電機驅動和汽車電子系統等領域模塊。它具有高電壓和電流承載能力,適用于需要高功率和高效能的電路。
 

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