型號(hào) IRF530NPBF絲印 VBM1101M品牌 VBsemi參數(shù)說明 MOSFET類型 N溝道 額定電壓(VDS) 100V 額定電流(ID) 18A 開通電阻(RDS(ON)) 127mΩ@10V, 132mΩ@4.5V 閾值電壓(Vth) 2~4V 封裝類型 TO220應(yīng)用簡介 這款I(lǐng)RF530NPBF MOSFET是一款高電壓N溝道MOSFET，適用于高壓應(yīng)用場景。它具有較高的額定電壓和較大的電流承載能力，適用于高功率開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。這款MOSFET可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域的模塊 電源管理模塊 適用于高壓開關(guān)電源、DCDC變換器、逆變器等高功率電源模塊。 高功率電機(jī)控制模塊 用于高壓高功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電機(jī)控制模塊。 高壓照明模塊 適用于高壓高功率照明驅(qū)動(dòng)和控制模塊。 高壓工業(yè)控制模塊 適用于高壓工業(yè)控制系統(tǒng)的功率開關(guān)和控制模塊。總之，IRF530NPBF MOSFET適用于需要高電壓高功率N溝道MOSFET的各種應(yīng)用場景，提供穩(wěn)定可靠的大電流控制和功率轉(zhuǎn)換功能，特別適用于高壓高功率應(yīng)用的模塊。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 N溝道
- 額定電壓(VDS) 100V
- 額定電流(ID) 18A
- (RDS(ON)) 127mΩ@10V, 132mΩ@4.5v
- 閾值電壓(Vth) 2~4V
- 封裝類型 TO220
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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