LBSS139LT1G詳細(xì)參數(shù)說明 極性 N溝道 額定電壓 60V 額定電流 0.3A 導(dǎo)通電阻 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1.6Vth (V) 封裝類型 SOT23應(yīng)用簡(jiǎn)介 LBSS139LT1G是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和低功率應(yīng)用。它具有較低的額定電流和較高的額定電壓特性。通過控制20Vgs (±V)的門源電壓，可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的導(dǎo)通和截止，實(shí)現(xiàn)電流的控制和開關(guān)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換。其較高的導(dǎo)通電阻意味著在較低的電流下進(jìn)行操作。LBSS139LT1G采用SOT23封裝，適用于各種電路板和模塊中使用。該器件主要應(yīng)用于低功率領(lǐng)域，例如電源管理、信號(hào)處理以及一些低功耗的控制電路中。總之，LBSS139LT1G是一款N溝道MOSFET，適用于電源管理和低功率應(yīng)用。適用于低功率領(lǐng)域的電路，如電源管理、信號(hào)處理和低功耗控制電路等領(lǐng)域。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 極性 N溝道
- 額定電壓 60V
- 額定電流 0.3A
- 導(dǎo)通電阻 2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 1.6Vth (V)
- 封裝類型 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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