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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SiA400EDJ-T1-GE3-VB-DFN6(2X2)封裝P溝道MOSFET

型號: SiA400EDJ-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 最大耐壓 30V
  • 最大漏極電流 5.8A
  • 導通時的電阻(RDS 22mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
  • 柵極電壓 (Vgs)范圍 ±20V
  • 閾值電壓(Vth) 1.2V
  • 封裝 DFN6 (2X2)

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

SiA400EDJ-T1-GE3是一款N溝道功率場效應管,具有以下參數 
- 最大耐壓 30V
- 最大漏極電流 5.8A
- 導通時的電阻(RDS(ON)) 22mΩ@10V, 28mΩ@4.5V
- 柵極電壓(Vgs)范圍 ±20V
- 閾值電壓(Vth) 1.2V
- 封裝 DFN6 (2X2)

該產品適用于以下領域模塊 
- 電源開關 SiA400EDJ-T1-GE3可以用作電源開關模塊中的主要器件,用于電源的控制和轉換。
- 電機驅動 適用于各種電機驅動模塊中,提供穩定的功率放大和驅動能力。
- 電源管理 在電源管理模塊中,可用于實現電源開關、電源保護和電源管理等功能。
- LED照明 可以應用于LED照明模塊中,實現對LED燈的驅動和亮度控制。

綜上所述,SiA400EDJ-T1-GE3適用于電源開關、電機驅動、電源管理和LED照明等領域模塊。
 

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