女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

優(yōu)起辰電子

主要從事半導(dǎo)體、電子元器件、集成電路產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、通訊設(shè)備、機電設(shè)備、計算機軟硬件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易;經(jīng)營進(jìn)出口業(yè)務(wù)。

201 內(nèi)容數(shù) 5.7w 瀏覽量 9 粉絲

場效應(yīng)晶體管STW9NK90Z

型號: STW9NK90Z
品牌: ST(意法)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 STW9NK90Z
  • 品牌 ST意法半導(dǎo)體
  • 封裝 TO-247
  • 類型 N溝道
  • 漏源電壓(Vdss) 900V
  • 連續(xù)漏極電流(Id) 8A
  • 功率(Pd) 160W
  • 導(dǎo)通電阻(RDS) 1.3Ω
  • 閾值電壓(Vgs) 4.5V

--- 產(chǎn)品詳情 ---

制造商:   STMicroelectronics      

產(chǎn)品種類:      MOSFET 

RoHS:      Yes 

技術(shù):      Si    

安裝風(fēng)格:      Through Hole 

封裝 / 箱體: TO-247-3      

晶體管極性:   N-Channel    

通道數(shù)量:      1 Channel      

Vds-漏源極擊穿電壓:  900 V     

Id-連續(xù)漏極電流:  8 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.3 Ohms      

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V       

Vgs th-柵源極閾值電壓:     3 V  

Qg-柵極電荷:       72 nC     

最小工作溫度:      - 55 C     

最大工作溫度:      + 150 C  

Pd-功率耗散: 160 W    

通道模式:      Enhancement 

商標(biāo)名:   SuperMESH   

系列:      STW9NK90Z  

封裝:      Tube      

商標(biāo):      STMicroelectronics      

配置:      Single     

下降時間:      28 ns      

高度:      20.15 mm      

長度:      15.75 mm      

產(chǎn)品類型:      MOSFET 

上升時間:      13 ns      

包裝數(shù)量:600     

子類別:   MOSFETs       

晶體管類型:   1 N-Channel 

類型:      MOSFET 

典型關(guān)閉延遲時間:      55 ns      

典型接通延遲時間:      22 ns      

寬度:      5.15 mm 

單位重量:      6 g

為你推薦

  • 薄膜電阻和厚膜電阻的區(qū)別2023-09-15 11:07

    薄膜電阻和厚膜電阻的區(qū)別1.結(jié)構(gòu):-薄膜電阻:薄膜電阻是通過在絕緣基板上沉積金屬或合金薄膜形成的。常用的薄膜材料有鉑、鎳鉻合金等。薄膜通常具有光滑且均勻的厚度,形成電阻元件的形狀和尺寸是通過光刻和腐蝕工藝來控制的。-厚膜電阻:厚膜電阻是通過在絕緣基板上涂覆一層較厚的電阻材料形成的。常用的電阻材料有金屬、碳等。厚膜電阻的厚度通常在幾微米到數(shù)十微米之間,厚度不如
    9411瀏覽量