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N溝道場效應管STP110N8F6(80V/110A)

型號： STP110N8F6
品牌： ST(意法)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 STP110N8F6
  • 品牌 ST意法
  • 封裝 TO-220
  • VDS 80V
  • ID 110A
  • Rds On 6.5Ω
  • PD 200W

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

STP110N8F6.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

制造商:  STMicroelectronics 

產(chǎn)品種類:  MOSFET 

RoHS:  Yes 

技術:  Si 

安裝風格:  Through Hole 

封裝 / 箱體:  TO-220-3 

晶體管極性:  N-Channel 

通道數(shù)量:  1 Channel 

Vds-漏源極擊穿電壓:  80 V 

Id-連續(xù)漏極電流:  110 A 

Rds On-漏源導通電阻:  6.5 mOhms 

Vgs - 柵極-源極電壓:  - 20 V, + 20 V 

Vgs th-柵源極閾值電壓:  2.5 V 

Qg-柵極電荷:  150 nC 

最小工作溫度:  - 55 C 

最大工作溫度:  + 175 C 

Pd-功率耗散:  200 W 

通道模式:  Enhancement 

商標名:  STripFET 

封裝:  Tube 

商標:  STMicroelectronics 

配置:  Single 

下降時間:  48 ns 

高度:  15.75 mm 

長度:  10.4 mm 

產(chǎn)品類型:  MOSFETs 

上升時間:  61 ns 

系列:  STP110N8F6 

包裝數(shù)： 1000 

子類別:  Transistors 

晶體管類型:  1 N-Channel Power MOSFET 

典型關閉延遲時間:  162 ns 

典型接通延遲時間:  24 ns 

寬度:  4.6 mm 

單位重量:  2 g 

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