因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
上海伯東日本原裝進(jìn)口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的離子蝕刻機(jī), 一般通氬氣 Ar, 無污染, 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 40 產(chǎn)生轟擊離子; 終點(diǎn)檢出器采用 Pfeiffer 殘余質(zhì)譜監(jiān)測(cè)當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
| 基板尺寸 | φ4 X 1wfr |
 可選 |
| 樣品臺(tái) | 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) | |
| 離子源 | 4 cm,8cm,10cm,16cm 考夫曼離子源 | |
| 均勻性 | ±5% for 4”Ф | |
| 硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
| 溫度 | <100 |
伯東離子蝕刻機(jī)主要優(yōu)點(diǎn)
1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.
離子蝕刻機(jī) 10IBE 組成：
離子蝕刻機(jī)通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī) IBE, 提供微米級(jí)刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子蝕刻機(jī). 蝕刻機(jī)可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
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