價格貨期電議
電子束蒸鍍設(shè)備 E-beam Evaporation System
電子束蒸發(fā)與熱蒸發(fā)對比, 能夠在非常高的溫度下熔化材料, 如鎢, 石墨 ... 等等. 結(jié)合石英震蕩片的反饋信號, 可輕松控制蒸發(fā)速率, 以調(diào)節(jié)電子束電流并蒸發(fā)更多材料而不會破壞真空. 因此, 電子束蒸發(fā)用于薄膜制程領(lǐng)域, 包括半導體, 光學, 太陽能電池板, 玻璃和建筑玻璃, 因此它們具有所需的導電, 反射, 透射和電子等特性.
上海伯東代理的電子束蒸鍍設(shè)備是一種實用且高度可靠的系統(tǒng), 蒸鍍系統(tǒng)可針對量產(chǎn)使用單一坩堝也可以有多個坩堝來達到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu). 在基板乘載上針對半導體研究和大型設(shè)備設(shè)計, 單片和多片公自轉(zhuǎn)的設(shè)計可以控制蒸發(fā)速率, 薄膜厚度和均勻度小于 +/- 3％. 腔體的極限真空度約為 10-8 Torr. 為了獲得最大的制程靈活性, 可以結(jié)合美國 KRi 離子源進行離子輔助沉積或者預清潔等功能.
上海伯東電子束蒸鍍設(shè)備配置和優(yōu)點
客制化的基板尺寸, 最大直徑可達 12寸晶圓
單載片或多載片 (2” x 32個，4” x 16個，6” x 6個，8” x 4個）
薄膜均勻度小于 ±3％
具有水冷坩堝的多組坩鍋旋轉(zhuǎn)電子束源 (1/2/4/6坩堝）
自動鍍膜系統(tǒng)
具有順序操作或共沉積的多個電子束源
基板具有冷卻 (液態(tài)氮溫度低至-70°C) 或加熱 (溫度最高800°C) 等功能
電子束蒸鍍設(shè)備基本參數(shù)
| 系統(tǒng) | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 |
| 極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr |
| 腔室密封 | 全部 CF | 一些密封圈 | 全部密封圈 |
| Load-lock | 標準 | 標準 | 可選 |
| E-beam 源 | 4-6 坩堝 7-25 cc | 4-6 坩堝 7-25 cc | 4-6 坩堝 7-25 cc |
| 基板 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 / 液氮冷卻 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 / 液氮冷卻 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 / 液氮冷卻 |
| 真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 低溫泵 / 分子泵 |
| 監(jiān)控 | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM |
| 工藝控制 | 速率控制 | 速率控制 | 速率控制 |
| 供氣 | 氮氣 | 氮氣 | 氮氣 |
腔體
由 304不銹鋼所制成, 通過外部焊接 304不銹鋼管線對腔體進行水冷
寬大的前開式門, 并有兩個窗口和窗口遮版用于觀察基材和電子束源
腔體的極限真空度約為 10-8 Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合美國 KRi 離子源, 濺鍍槍, 熱蒸發(fā)源, 等離子清潔...
應(yīng)用領(lǐng)域
光學材料研究 (LED / Laser Diode)
光電元件
半導體元件
對傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術(shù)難以實現(xiàn)的材料蒸發(fā), 可采用電子束蒸發(fā)的方式來實現(xiàn). 不同于傳統(tǒng)的輻射加熱和電阻絲加熱, 高能電子束轟擊可實現(xiàn)超過 3000℃ 的局域高溫, 這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發(fā)出來, 甚至是高熔點的材料, 例如, Pt, W, Mo, Ta 以及一些氧化物, 陶瓷材料等. 上海伯東代理的電子束蒸發(fā)源可承載 1-6種不同的材料, 實現(xiàn)多層膜工藝; 蒸發(fā)源本身防污染設(shè)計, 使得不同材料之間的交叉污染降到最低.
若您需要進一步的了解電子束蒸鍍設(shè)備詳細信息或討論, 請聯(lián)絡(luò)上海伯東葉女士
現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡(luò)上海伯東 葉女士
上海伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！
